在整个半导体产业链中，在中国投资最多的是晶圆铸造部分。具体来说，晶圆铸造是在硅片上生产电路和电子元件。这一步是整个半导体产业链中最复杂的技术和投资最多的领域。下面听听深圳深铭易购商城的介绍。

　　以处理器为例，所需的处理步骤可以达到数百个通道，各种加工机器先进且价格昂贵，并且数千万美元起飞。成熟的晶圆代工厂总投资占其总设备的70%至80%。

　　氧化：目的是生产二氧化硅薄膜。以硅为半导体原料的一个重要因素是硅易于生长二氧化硅薄膜，因此半导体上的一层绝缘材料可作为器件的掺杂阻挡层、表面绝缘层和绝缘部分。

　　气化炉市场主要以热解、世纪热解等主要国际工厂为主，此外，中甸、Qingdao Xuguang等48家在氧化炉方面也取得了重大进展，市场估计中国今年和明年对氧化炉的需求总额约为20亿美元。

　　光刻：整个铸造过程中最重要的过程之一。原理是用高光敏光刻胶覆盖晶片表面，然后用光通过掩模照射晶片表面，由光照射的光刻胶将反应并最终到达电路图。传递。

　　目前，ASML是世界领先的光刻机。此外，SUSS在德国、尼康在日本、Ultratech在美国等也有很强的实力。在中国，有许多光刻机制造商，如上海微电子公司、中国电力45分公司、中国电力48分公司等，但主要技术在65nm到28nm范围内，这与国际大型工厂的实力大不相同。

　　雕刻：用光阻器将晶圆的最外层暴露在外的过程。主要分为湿蚀和干蚀两大类。湿蚀刻被限制在2微米以上的图形大小，而干蚀刻则被用于高级电路。

　　蚀刻机的主要国际供应商是Applied Materials，Lam Research等。中国的技术已经慢慢赶上了。即将登录科创董事会的中国微型半导体将独立验证由台积电(2330-TW)开发的5nm等离子蚀刻机，并将用于世界上第一条5nm工艺生产线。北华创是14nm技术的突破。市场估计，今年和明年中国的蚀刻机需求将分别达到15亿美元和20亿美元。

　　抛光：晶圆表面的全面平面化，用于后续的薄膜沉积工艺。美国应用材料公司，Rtec公司等是主要的国际供应商，而中国则拥有CLP设备和盛美半导体。然而，Lu的产品刚刚进入8英寸晶圆厂，而12英寸相关设备仍在开发中，这显然与国际巨头存在差距。

　　离子注入：是控制半导体混合质量和在半导体表面附近进行掺杂技术的关键程序，其优点在于对杂质的精确控制、杂质分布的重排和低温操作。

　　离子注入机的主要供应商是AMAT，中国的一些电子设备公司只能供应它们。

　　沉积：PVD沉积是一个物理过程。这种技术通常使用惰性气体，如氩。在高真空条件下，通过加速氩离子对溅射靶的冲击，靶原子被一个一个地溅射出来，从而使溅射材料沉积在晶圆表面。

　　薄膜沉积设备的主要供应商包括应用材料、汽化技术、lam研究、百胜、托基等。中国相关设备制造商包括华北和Shenyang Tuo Jing。中国北方是中国薄膜沉积设备的领头羊，其现有技术已达14nm。市场估计中国薄膜沉积设备今年和明年的需求量可达15亿美元和20亿美元。

　　晶圆检测设备包括扫描电子显微镜(CDSEM)、自动光学检测仪(AOI)等，我国在这一领域尚处于起步阶段，行业主要由大型国际工厂主导，如：KLA Tencor、应用材料、日立、鲁道夫、卡姆泰克等。

　　由此可见，晶圆制造设备中光刻机、蚀刻机和薄膜沉积设备的生产价值最大，生产难度也最高，除了蚀刻机外，mmscs已成功成为台积电供应名单中的一员，光刻机、薄膜沉积等半导体设备与国际尚有难分难解之处，中国的工厂仍与国际科技有差距。