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    电子元器件基础知识:MOS管和IGBT管的辨别

    发布者:深铭易购商城     发布时间:2019-07-09

      MOS管和IGBT管是现代电子设备中经常使用的新型电子设备,并且通常用于电子电路中。然而,MOS管和IGBT管的形状和静态参数相似,有时它们在选择,判断和使用时易于移动。 MOS管和IGBT管的可靠识别方法是清除选择,判断和使用的障碍!下面听听深圳深铭易购商城的详细介绍。

    QQ截图20190709171753.jpg

      MOS管

      MOSFET是一种金属氧化物半导体绝缘栅场效应晶体管。它具有输入阻抗高、开关速度快、热稳定性好、电压控制电流大等特点。

      IGBT管

      gibt中文名称绝缘栅双极性场效应晶体管,是由莫氏管和晶体晶体管,莫氏管作为输入管,晶体晶体管作为输出管的组合。因此,晶体管的功率相当大,因此在两者结合后,得到了莫氏管的优点和晶体晶体管的优点。

      总之,上述两种类型的晶体管是电子器件中经常使用的电子元件。两者在形状和静态参数方面非常相似。一些电子产品具有技术垄断。在电路中,有时它们的型号是擦除的,到目前为止,它们在命名标准和型号上没有统一的标准,外观和引脚排列相似,没有规则可循,它成为维护的障碍处理。如何区分和判断成为必要的手段。

      MOS和IGBT之间的区别

      带阻尼和n通道增强母管的nnpn型igbt管的识别

      具有阻尼的NPN型IGBT管具有与N沟道增强型MOMS管相同的栅极位置。 IGBT管的C极位置对应于MODS管的D极位置,IGBT管的e极位置和MODS管的S极对应位置,它们的判断和区分可以通过动态和静态完成测量方法。

      静电测量用于判断MOS和IGBT晶体管的质量

      首先,两管的管脚短路,以排出静电。在莫氏管的d极和s极之间有一个pn连接。正向引导反向关闭,因此存在rgd=rgs=无穷大,rsd=几千欧元。g对igbt管的c和e极的电阻应该是无穷大,也就是rgc=rge=无穷大,并且在igbt管之间有一个阻尼二极管,因此它具有单向导电反向截止特性,也就是说,rce=无穷大,rec=几千欧元。从这里,只能用万用表的电阻来确定管道的质量,但不能与管道的类型区分。测量量小时,表示管已破裂,测量阻力大,表示管已破裂。

      动态测量可区分MOS管和IGBT管

      首先,利用万用表对管栅进行电压测量。是场效应晶体管建立了通道。然后,测量D、S、C和E之间的电阻值。根据电阻值的不同,区分了MOS和IGBT晶体管。

      万用表的电阻用于测量两管的d、s、c、e之间的电阻。由于场效应管已经建立了一个通道,所以rds=rsd;lunk;GT;0,电阻在rce之间存在,晶体三极处于放大状态。透射电阻,rec是内部阻尼二极管的传导电阻,两者都是几千欧元。因此,根据测量结果,这两个管的传导程度并不相同,而mos管的d与s之间的电阻远小于igbt管的c与e之间的电阻,所以mos和igbt管是可以区分的。


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