贴片三极管代码|型号|参数查询表

发布者：深铭易购发布时间：2019-11-21 浏览量：9736

贴片三极管代码|型号|参数查询，三极管有两种类型即ＰＮＰ型和ＮＰＮ型，在对三极管进行判别时只要知道其基极是Ｐ型材料还是Ｎ型材料即可。随着科技不断进步，人们对于三极管需求不断增加，相信大家对于贴片三极管一定不会陌生，贴片三极管在我们日常生活中大量使用。现在市面上贴片三极管型号规格众多，可以根据实际需要进行适当选择，那么贴片三极管型号规格有哪些呢？下面就是小编对于贴片三极管及型号规格的具体介绍。

贴片三极管代码|型号|参数查询表

代码	型号	材料与极性	主要参数				用途	封装	备注(电阻单位：Ω)
代码	型号	材料与极性	功率(W)	耐压(V)	电流(A)	频率(MHz)	用途	封装	备注(电阻单位：Ω)
2	DTCl14T	Si-N+R	0.4w	50v	0.1A		S	H-15	Rb=10k
O3	DTC143TE	Si-N+R	0.4w	50v	0.1A		S	H-15	Rb=4.7k
O4	MRF5211L	Si-p	0.25	50v	0.05	50v0	HF	H-15
5	DTCIZ4TE	Si-N+R	0.4w	50v	0.1A		S	H-15	Rb=22k
O6	DTC144TUA	Si-N+R	0.4w	50v	0.1A		S	H-15	Rb=47k
81	2N2369A	Si-N	0.36	50v	0.2	>50v	55	H-21
9	DTCl15TUA	Si-N+R	0.4w	50v	0.1A		S	H-15	Rbe=100k
OB	MUN5112	Si-p+R	0.4w	50v	0.1A		S	H-23	Rb=Rbe=22k
OC	MUN5113	Si-p+R	0.4w	50v	0.1A		S	H-21	Rb=Rbe=47k
OD	MUN5114	Si-p+R	0.4w	50v	0.1A		S	H-21	Rb=10k,Rbe=47k
OE	MUN5115	Si-p+R	0.4w	50v	0.1A		S	H-21	Rb=10k
OF	MUN5116	Si-p+R	0.4w	50v	0.1A		S	H-z1	Rb=4.7k
OG	MUN5130	Si-p+R	0.4w	50v	0.1A		S	H-21	Rb=Rbe=1k
OH	MUN5131	Si-p+R	0.4w	50v	0.1A		S	H-21	Rb=Rbe=2.2k
0J	MUN5132	Si-p+R	0.4w	50v	0.1A		S	H-21	Rb=Rbe=4.7k
OK	MUN5133	Si-p+R	0.4w	50v	0.1A		S	H-21	Rb=Rbe=47k
OL	MUN5134	Si-p+R	0.4w	50v	0.1A		S	H-21	Rb=22k,Rbe=4.7k
OM	MUN5135	Si-p+R	0.4w	50v	0.1A		S	H-21	Rb=2.2,Rbe=4.7k
1	25C3587	Si-N	0.25	30	0.05	10GHz	UF	H-15
11	MUN5311	Si-N/p+R	0.4w	50v	0.1A		Uni	H-23	Rb=10k
111	DTAl13Z	Si-p+R	0.4w	50v	0.1A		Uni	H-15	Rb=1k,Rbe=10k
113	DTA143Z	Si-p+R	0.4w	50v	0.1A		Uni	H-15	Rb=4.7k,Rbe=47k
12	DTA123EUA	Si-p+R	0.4w	50v	0.1A		Uni	H-15	Rb=Rbe=2.2k
121	DTCl13ZUA	Si-N+R	0.4w	50v	0.1A		Uni	H-15	Rb=1k,Rbe=10k
123	DTC143ZUA	Si-N+R	0.4w	50v	0.1A		Uni	H-15	Rb=4.7k,Rbe=4.7k
13	MUN5313DW	Si-N/p+R	0.4w	50v	0.1A		Uni	H-23	Rb=22K、Rbe=47k
132	DTAt2UA	Si-p+R	0.4w	50v	0.1A		Uni	H-15	Rb=2.2k,Rbe=47k
14	DTAl14EUA	Si-p+R	0.4w	50v	0.1A		Uni	H-15	Rb=Rbe=lOk
14	MUN5314DW	Si-N/P+R	0.4w	50v	0.1A		Uni	H-23	Rb=10k
15	MUN5315DW	Si-N/P+R	0.4w	50v	0.1A		Uni	H-23	Rb=Rbe=10k
15	DTA124EUA	Si-P+R	0.25	30	0.05		S	H-15	Rb=Rbe=22k
156	DTA144VUA	Si-p+R	0.4w	50v	0.1A		Uni	H-15	Rb=47k,Rbe=10k
16	DTA144EUA	Si-p+R	0.25	30	0.05		S	H-15	Rb=Rbe=47k
18	BFP181T	Si-N	0.1A5	10	0.02	>7.8GHz	UF	G-7
1A	2N3904	Si-N	0.625	60	0.2	>250v	Uni	H-17
1B	2N2222	Si-N	0.5	60	0.8	100	Uni	H-17
IC	MPSA20	Si-N	0.35	40	0.1A	100	Uni	H-17
1D	MPSA42	Si-N	0.625	300	0.5	100	Tr	H-100
1E	MPSA43	Si-N	0.625	200	0.5	100	Tr	H-100
IEN	25C4084	Si-N	0.1A5	30	0.05	2.OGHz	HF	H-15
IEP	BC547A	Si-N	0.5	50v	0.2	300	Uni	H-17

代码	型号	材料与极性	主要参数				用途	封装	备注(电阻单位：Ω)
代码	型号	材料与极性	功率(W)	耐压(V)	电流(A)	频率(MHz)	用途	封装	备注(电阻单位：Ω)
IES	BC847Aw	Si-N	0.2	50v	0.1A	100	Uni	H-15
1F	MMST5550v	Si-N	0.625	160	0.6	>100	Tr	H-100
1G	MMBTA06	Si-N	0.625	80	0.5		NF	H-100
1H	MMBTA05	Si-N	0.625	60	0.5		NF	H-100
1J	BC848A	Si-N	0.2	30	0.1A	100	Uni	H-17
1JA	MMBT2369A	Si-N	0.62S	40	0.5		Uni	H-100
1K	MPSA18	Si-N	0.35	45	0.2		NF	H-9
IKZ	FMMT4400	Si-N	0.625	60	0.6	10	Uni	H-100
1L	FMMT4401	Si-N	0.625	60	0.6	10	Uni	H-I00
1M	MMBTA13	Si-N+D	0.625	30	0.5	>125	V	H-100
1N	MMETA14	Si-N+D	0.625	30	0.5	>125	V	H-100
1P	BC847PN	Si-N/P	0.2	50v	0.t	30	V	H-23
1S	MMBT2369A	Si-N	0.36	40	0.2	50v0	SS	H-15
1T	MIBT3960A	Si-N	0.4w	20	0.03	50v0	SS	H-15
1U	MMBT2484	Si-N	0.36	60	0.05	>100	NF/ra	H-15
1V	MMBT6427	Si-N+D	0.625	40	0.5	>10	Uni	H-100
1VP	BF820	Si-N	0.5	300	0.05		Tr	H-100
1W	BF822W	Si-p	0.625	300	0.05	>60	Tr	H-100
1X	MPS3904	Si-N	0.62s	45	0.03	>30	Uni /ra	H-9
1Z	MMBT6517	Si-N	0.625	350v	0.5	>40	NF/V	H-100
2	ZSC3604	Si-N	0.58	20	0.065	8GHz	UF	G-129
22	MMBT4209	Si-p	0.35	15	0.05	850v	S	H-9
23	MMBT3646	Si-N	0.2	40	0.2	350v	S	H-9
24	25CSOO6	Si-N		20	0.1A	3GHz	UF	H-t5
25	DTC124EUA	Si-N+R	0.4w	50v	0.1A		S/ Uni	H-15	Rb=Rbe=22k
26	DTC144EHA	si-N+R	0.3	50v	0.03		S/ Uni	H-15	Rb=Rbe=47k
28	BFP280T	Si-N	0.25	8	0.01	7GHz	UF	H-9
29	DTCl15EE	Si-N+R	0.4w	50v	0.02		S/ Uni	H-15	Rb=Rbe=100k
2A	2N3906	Si-p	0.625	40	0.2	>200	Uni	H-15
2B	2N2907	Si-p	0.4w	60	0.6	>10	Uni	H-15
2C	BC549B	Si-N	0.5	30	0.2	300	Uni	H-15
2D	MPSA92	Si-p	0.625	300	0.5	>100	Uni	H-100
2E	MPSA93	Si-p	0.625	200	0.S	>100	Uni	H-100
2F	BC850vB	Si-N	0.2	50v	0.1A	100	Uni	H-15
2G	MPSA56	Si-p	0.625	80	0.5		NF/Tr	H-15
2H	MPSA55	Si-p	0.625	60	0.5		NF/Tr	H-15
21	25D2474	Si-N		10	2	180	L	H-100
2J	MPS3640	Si-p	0.2	12	0.08		S	H-15
2K	2N4402	Si-F	0.625	40	0.6	250v	Uni	H-100
2L	MMBT5401	Si-p	0.625	150v	0.6	>100	Uni	H-15
2M	2N50v87	Si-p	0.625	50v	0.05		NF/ ra	H-15
2N	MMB5404A	Ge-p	0.1A5	35	0.1A5		斩波	H-9
2P	MMBT50v86	Si-p	0.625	50v	0.05		NF/ra	H-15
2Q	MMB50v87	Si-p	0.625	50v	0.05		NF/ra	H-17
2T	2N4403	Si-p	0.625	40	0.6	250v	Uni	H-17
2U	MMBTA63	Si-p+D	0.625	30	0.5		Uni	H-100(β=50v00)

代码	型号	材料与极性	主要				用途	封装	备注（电阻单位：Ω)
代码	型号	材料与极性	功率(W)	耐压(v)	电流(A)	频率（MHz）	用途	封装	备注（电阻单位：Ω)
2V	MIBTA64	Si-P+D	0.625	30	0.5		Uni	H-100(β=50v00)
2W	2J4125	Si-p	0.625	30	0.2		NF/S	H-15
2x	2N4401	Si-N	0.625	60	0.5		Uni	H-1OO
2Z	2N6520	Si-p	0.625	350v	0.5	>40	NF/S	H-100
30	MUN5330DW1	Si-N/P+R	0.4w	30	0.1A		S/ Uni	H-23	Rb=Rbe=1k
31	MUN5331DW1	Si-N/P+R	0.4w	30	0.1A		S/ Uni	H-23	Rb=Rbe=2.2k
32	MUN5332DW1	Si-N/P+R	0.4w	30	0.1A		S/ Uni	H-23	Rb=Rbe=4.7k
33	MUN5333DW1	Si-p+R	0.4w	50v	0.1A		S/ Uni	H-15	Rb=4.7k,Rbe=31Ok
34	MUN5334DW1	Si-N/P+R	0.4w	40	0.1A		S/Uni	H-23	Rb=22k,Rbe=47k
35	MUN5335DW1	Si-N/P+R	0.35	40	0.05		S/ Uni	H-23	Rb=2.2k,Rbe=47k
3A	BC856A	Si-p	0.5	80	0.2	150v	Uni	H-17
3B	2N918	Si-N	0.2	30	0.05	>600	HF	H-9
3C	BC857	Si-p	0.3	50v	0.t	150v	Uni	H-15
3D	MMBTH81L	Si-p	0.25	30	0.02	>600	HF	H-9
3E	MPSA42	Si-N	0.625	300	0.5	100	Uni/V	H-100
3F	BC557B	Si-p	0.5	50v	0.2	150v	Uni	H-17
3G	BC857C	Si-p	0.35	50v	0.1A	150v	S	H-15
3'	BC858AR	Si-p	0.3	30	0.1A	150v	S/ Uni	H-15
3K	BC858B	Si-p	0.3	30	0.2	150v	S	H-15
3L	BC858C	Si-p	0.3	30	o.25	150v	S/ Uni	H-15
3M	2N50v87	Si-p	0.625	50v	0.05		NF/ra	H-15
3N	MMET3906	Si-p	0.625	40	0.2	>200	Uni	H-15
3P	2N222A	Si-N	0.5	60	0.8		Uni	H-15