【深铭易购】资讯：1月11日，瑞萨电子与氮化镓（GaN）器件领导者Transphorm宣布已达成最终协议。根据协议，瑞萨电子的子公司将以每股5.10美元的价格收购Transphorm，较Transphorm在1月10日的收盘价溢价约35%，总估值约为3.39亿美元。

公告中指出，这次收购将为瑞萨电子提供自主的GaN技术，从而将其业务范围扩大到电动汽车、计算（数据中心、人工智能、基础设施）、可再生能源、工业电力转换等快速增长的市场。

随着碳中和成为关键目标，对高效电力系统的需求不断增加。为了迎合这一趋势，相关产业正在向以碳化硅（SiC）和GaN为代表的宽禁带（WBG）材料过渡。这些先进材料相比传统硅基器件具备更广泛的电压和开关频率范围。在这一背景下，瑞萨已经宣布建立了一条内部SiC生产线，并签署了为期10年的SiC晶圆供应协议。

据悉，瑞萨电子的目标是借助Transphorm在GaN方面的专业知识进一步扩展其WBG产品组合。GaN作为一种新兴材料，可以实现更高的开关频率、更低的功率损耗和更小的外形尺寸。这些优势使客户的系统具有更高的效率、更小、更轻的结构以及更低的总体成本。瑞萨电子将采用Transphorm的汽车级GaN技术来开发新的增强型电源解决方案，例如用于电动汽车的X-in-1动力总成解决方案，以及计算、能源、工业和消费应用。

该交易预计将于2024年下半年完成，具体取决于Transphorm股东的批准、所需的监管许可和其他惯例成交条件的满足。