【深铭易购】资讯：4月12日消息，据韩国媒体报道，全球最大的存储芯片制造商三星电子公司将于本月晚些时候开始批量生产290层第九代垂直（V9）NAND芯片，以引领行业向高堆叠高密度闪存过渡的竞争对手。另据业内消息人士于本周四表示，随着人工智能时代对高性能和大型存储设备的需求增长，三星电子还计划明年推出430层NAND芯片。

据了解，V9 NAND是继三星当前旗舰236层V8 NAND产品后的一款尖端产品，将会达到290层，主要面向大型企业服务器以及人工智能和云设备。消息人士称，V9 NAND的重要之处在于三星利用了其双堆栈（double-stack）技术，以实现更简单的工序和更低的制造成本。

而在预计明年推出的第10代V-NAND闪存上，三星将换用三堆栈结构。由于技术限制，三层堆叠（triple-stack）或三层单元（triple-level cell）技术被广泛认为是制造约300层芯片的最常用方法。不过这也会在堆栈对齐方面引入更多的复杂性。SK海力士明年量产的321层NAND闪存就将使用这一结构。

半导体行业研究机构TechInsights表示，三星的第10代V-NAND闪存有望达到430层，进一步提升堆叠方面的优势。