您好,欢迎来到深铭易购!
  • 请登录 | 免费注册
  • 产品分类
    首页> 行业资讯> MOSFET场效应管全方位解析

    MOSFET场效应管全方位解析

    发布者:深铭易购     发布时间:2019-01-18    浏览量:216

    MOSFET定义

        场效应管晶体管简称场效应管(MOS),利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件。由于它仅靠半导体中的多数载流子导电,又称单极型晶体管

    单极性晶体管MOS场效应管-深铭易购商城

    MOSFET分类

        MOSFET分为两大类:N沟道P沟道。在功率系统中,MOSFET起到的作用相当于一个开关。当在N沟道MOSFET栅极源极间加上正电压时,其开关导通。导通时,电流可经开关从漏极流向源极。漏极和源极之间存在一个内阻,称为导通电阻RDSON)。

        MOSFET的栅极是个高阻抗端,因此,总 是要在栅极加上一个电压。如果栅极为悬空,器件将不能按设计意图工作,并可能在不恰当的时刻导通或关闭,导致系统产生潜在的功率损耗。当源极和栅极间的电压为零时,开关关闭,而电流停止通过器件。虽然这时器件已经关闭,但仍然有微小电流存在,这称之为漏电流,即IDSS

    MOSFET场效应管-深铭易购商城

    MOSFET工作原理

        场效应管的工作原理用一句话说,就是“漏极-源极间流经沟道的ID,利用栅极与沟道间的PN结形成的反偏的栅极点压控制ID。”更正确地说,ID流经通路的宽度(沟道横截面面积),它是由pn结反偏的变化,产生耗尽层扩展变化控制的缘故。在VGS=0的非饱和区域,表示的过渡层的扩展因为不很大,根据漏极-源极间所加VDS的电场,源极区域的某些电子被漏极拉去,即从漏极向源极有电流ID流动。从门极向漏极扩展的过度层将沟道的一部分构成堵塞型,ID饱和。将这种状态称为夹断。这意味着过渡层将沟道的一部分阻挡,并不是电流被切断。
    MOS场效应管工作原理电路图-深铭易购商城

        在过渡层由于没有电子、空穴的自由移动,在理想状态下几乎具有绝缘特性,通常电流也难流动。但是此时漏极-源极间的电场,实际上是两个过渡层接触漏极与门极下部附近,由于漂移电场拉去的高速电子通过过渡层。因漂移电场的强度几乎不变产生ID的饱和现象。其次,VGS向负的方向变化,让VGS=VGSoff),此时过渡层大致成为覆盖全区域的状态。而且VDS的电场大部分加到过渡层上,将电子拉向漂移方向的电场,只有靠近源极的很短部分,这更使电流不能流通。

    MOSFET运用

        MOSFET广泛使用在模拟电路数字电路中,和我们的生活密不可分。MOSFET的优势在于:首先驱动场效应管应用电路电路比较简单。MOSFET需要的驱动电流比 BJT则小得多,而且通常可以直接由CMOS或者集电极开路TTL驱动电路驱动;其次MOSFET的开关速度比较迅速,能够以较高的速度工作,因为没有电荷存储效应;另外MOSFET没有二次击穿失效机理,它在温度越高时往往耐力越强,而且发生热击穿的可能性越低,还可以在较宽的温度范围内提供较好的性 能。MOSFET已经得到了大量应用,在消费电子、工业产品、机电设备、智能手机以及其他便携式数码电子产品中随处可见。

    MOS场效应管电路图-深铭易购商城

    温馨提示

    如果你喜欢本文,请分享到朋友圈,想要获得更多信息,请关注我。

    往期精彩回顾
    上新 | 被动元器件抢占先机
    上新 | 日本电子元器件的后继无力
    上新 | 苹果下调业绩预期是什么梗

     


    注:图文源自网络,如有侵权问题请联系删除。

    上一章:被动元件抢占先机

    下一章:贴片电阻、电容的未来

    1