【深铭易购】资讯：据韩国媒体报道，在SK海力士率先完成与英伟达（NVIDIA）关于HBM4供应价格的谈判后，三星电子与英伟达的HBM4定价协商也已进入最后阶段。业内普遍认为，双方有望在年内敲定最终协议，为明年的HBM4大规模供货奠定基础。

消息称，三星电子此前向英伟达供应的12层堆叠HBM3E产品价格相对较低，但在新一代12层堆叠HBM4方面，三星的定价目标与SK海力士看齐，预计维持在约500美元中段水平。与此前HBM3E约200美元的价格相比，涨幅超过150%，反映出新一代高带宽内存在性能、制程和良率提升所带来的显著溢价。

业内人士透露，英伟达在与SK海力士敲定明年HBM4供货价格后仅一周，便邀请三星电子加入新一轮价格谈判。目前谈判已进入实质性收尾阶段，预计最终价格将在今年内正式确认。

此前消息显示，SK海力士与英伟达达成的HBM4协议价格已锁定在约500美元中段。对比其12层堆叠HBM3E约300美元中段的售价，新产品价格上涨超过50%。尽管SK海力士在台积电生产HBM4的成本较上一代增加约30%，但其成功争取到更高溢价，基本对冲了成本上升带来的压力。

相比之下，目前三星电子HBM3E的市场价格较SK海力士同类产品低约30%。知情人士指出，三星此前为英伟达预留了一批HBM3E芯片，但由于认证进度延误，未能按期交付，相关产品被紧急转售给其他大型科技企业，且不得不以较低价格出货，直接拉低了整体平均售价。报道称，三星HBM3E的实际成交价一度在200美元左右。

在HBM4谈判中，三星明确提出希望其供货价格与SK海力士保持一致，即不低于500美元。这意味着相较于HBM3E时期的价格水平，三星希望通过HBM4实现超过150%的单价提升，以改善盈利能力并缩小与主要竞争对手的差距。

从技术层面看，三星正采取积极措施巩固其在DRAM领域的竞争地位。公司计划以更先进的1c DRAM制程投入HBM4量产，以在性能和成本结构上对采用1b DRAM的SK海力士形成优势。这也被视为三星在价格谈判中坚持“对标海力士”的重要底气之一。同时，考虑到当前HBM4市场需求已明显超过供应，而具备量产能力的厂商仅有SK海力士与三星两家，在供不应求的背景下，三星自然不愿在价格上让步。

为满足持续增长的市场需求并增强竞争力，三星电子计划在明年年底前，将HBM4所用1c DRAM的月产能由目前的约2万片晶圆，大幅提升至15万片晶圆。公司今年将稳步扩充1c DRAM产能，一方面新建月8万片的产线，另一方面将部分成熟制程产线转换为1c节点，整体规划在2026年底前实现15万片的月产规模，并全面应用于HBM4量产。

市场同时高度关注三星能否在今年底前通过英伟达的认证流程。若进展顺利，三星有望最早于2026年第二季度正式进入英伟达HBM4供应链，打破原先“上半年由海力士独供、下半年三星接棒”的预期格局。不过，目前三星1c DRAM在HBM4上的量产良率约为50%，能否在明年上半年实现明显改善，仍是影响其出货节奏和市场份额的关键变量。

业内分析认为，三星在HBM4领域的积极布局，不仅将提升其在高端内存市场的话语权，也有望重塑全球HBM竞争格局，对整个存储产业产生深远影响。