【深铭易购】资讯：中国台湾存储芯片厂商南亚科技（Nanya Technology）近日宣布，将进一步扩大资本投入，加速第五座12英寸晶圆厂——5A新厂的建设，以强化先进DRAM制程布局并提升未来产能竞争力。

根据南亚科董事会决议，公司将2026年资本支出由原先规划的520亿元新台币上调至697亿元新台币，增加约177亿元新台币，增幅达到34%。此外，南亚科计划在2026年至2029年的四年期间，投入最高3466亿元新台币，用于5A新厂建设、先进DRAM制程研发以及生产设备采购。

据了解，此次投资规模不仅是南亚科成立以来最大的单一投资项目，也成为中国台湾DRAM产业近20年来规模较大的扩产计划之一。南亚科表示，相关资金将重点投入10nm级DRAM制程技术开发、5A新厂建设、研发项目以及其他资本支出。

南亚科规划，5A新厂未来将导入极紫外光（EUV）光刻技术，成为公司推动下一代DRAM制程量产的重要基地。该厂整体投资金额预计约160亿美元，并将逐步导入1B、1C、1D以及1E等先进10nm级DRAM制程技术，以提升产品性能与市场竞争力。

在产能规划方面，5A新厂第一阶段目标月投片产能约为3.59万片12英寸晶圆，整体最大规划产能预计达到每月4.5万片晶圆。按照目前计划，新厂预计于2027年下半年开始投片生产，2028年月产能提升至3万片晶圆，2029年进一步达到3.59万片晶圆的目标规模。

对于资金来源，南亚科表示，5A新厂建设资金将通过公司自有资金、银行融资以及其他融资方式进行筹措，以支持长期扩产计划。

业内分析认为，随着人工智能服务器、云计算数据中心以及高性能计算应用快速发展，全球DRAM市场正迎来新一轮需求增长周期，各大存储厂商纷纷加快先进制程和产能扩张布局。南亚科此次大规模投资，不仅显示其强化先进DRAM技术能力的决心，也意味着其将在未来存储市场竞争中扮演更加重要的角色。