【深铭易购】资讯：据10月7日《朝鲜日报》报道，随着高带宽内存（HBM）产品从第五代HBM3E向第六代HBM4升级，三星电子正计划大幅上调2027年的HBM供货价格，预计价格可能达到当前水平的两倍以上，涨幅超过100%。

业内分析认为，三星电子计划提高2027年HBM价格，主要受到通用DRAM价格上涨、晶圆消耗及先进制程成本增加，以及竞争对手美光涨价等因素推动。

首先，通用DRAM市场价格持续走强，为HBM价格上涨提供了市场支撑。市场研究机构TrendForce预计，2026年第四季度标准型DRAM合约价格将环比上涨10%至15%，包括HBM在内的DRAM合约价格则预计上涨15%至20%。高盛分析认为，随着标准型DRAM业务收入提升，HBM价格也面临同步上调的压力。

其次，HBM产品升级带来的晶圆消耗增加以及先进制程成本上升，也进一步推高了生产成本。相比传统DRAM，HBM芯粒尺寸更大，产品迭代也需要消耗更多晶圆。同时，三星电子HBM4的基础芯片（Base Die）采用4nm逻辑制程，制造成本相对更高。高盛指出，未来DRAM新增产能可能有较大部分被HBM生产吸收，从而限制标准型DRAM的供应，并对整体DRAM价格形成支撑，进一步为HBM价格上涨创造条件。

第三，美光近期的定价策略也可能产生带动效应。据报道，美光已经将2027年的大部分HBM产能以高于2026年的价格签订合同。在竞争对手确定提高HBM价格后，三星电子和SK海力士跟随市场价格趋势进行调整的空间也随之扩大。

多家机构同样看好HBM价格上涨趋势。KB证券预计，三星电子2027年的HBM平均售价可能上涨超过100%；TrendForce则预计，2027年全球HBM平均价格涨幅可能达到121%。

三星电子已于2026年2月启动HBM4量产，预计2027年HBM4出货量将进一步增加。目前，公司已获得英伟达（NVIDIA）、博通（Broadcom）等主要客户的部分2027年订单，相关价格谈判已于10月进入最终阶段。

业内人士表示，在标准型DRAM和HBM市场供应均相对紧张的情况下，三星电子在价格谈判中可能拥有较强的议价能力。不过，HBM涨价最终能够转化为多少利润增长，仍取决于HBM4的良率、客户认证进度以及晶圆产能分配等因素，后续表现仍需持续观察。

韩亚证券预计，随着HBM4出货量扩大，2027年HBM业务占三星电子DRAM营收的比例可能提升至约15%。如果HBM价格最终上涨100%，这一比例可能进一步扩大至20%至30%，显示HBM在三星存储业务中的重要性有望继续提升。