【深铭易购】资讯：根据存储模组公司的消息人士透露，三星电子和美光科技等存储芯片供应商计划在2024年第一季度将DRAM价格上调15%-20%。目前，NAND芯片价格已经上涨，预计短期内将迎来一波高达50%的“暴力涨价”潮流。与NAND闪存价格的飙升相比，2023年第四季度DRAM的定价相对较为稳定。然而，消息人士透露，存储芯片制造商预计在下一轮涨价中将主要集中在DDR4和DDR5等DRAM上，以加速盈利的恢复。

一些存储模组厂商已经收到三星的通知，明年第一季度DRAM价格至少将上调15%。尽管三星并未提及NAND闪存的定价，但预计NAND价格将继续上升。在2023年12月，DRAM价格上涨了2%-3%，虽然相较于当月3D TLC NAND的涨幅约为10%，但仍然大幅提高了DRAM的价格。

随着手机和服务器需求的逐渐改善，DRAM供应预计将变得更加紧张。存储芯片制造商目前正热衷于在2024年上半年提高DDR4和DDR5的价格，同时DDR3的产量和价格将相对稳定。消息人士指出，过去几个月存储模组厂商一直以低价备货，预计三星将在下一轮DRAM价格调整中发起首轮攻势。

韩国DRAM供应商已经降低了2023年下半年DRAM的利用率。三星2023年第四季度的DRAM产量仅为该年第一季度的70%左右，并补充说三星提高了先进制造工艺的产量比例。预计2024年第一季度DRAM产量将继续受到严格控制。芯片供应商将更多地依赖先进节点，同时减少成熟工艺的产量。

前三大DRAM芯片厂商的DDR4过去采用1X nm或1Y nm工艺，但在2023年，三星将其8Gb和16Gb产品转移到1Z nm工艺，而美光则将其DDR4生产迁移到1α nm工艺。存储芯片制造商也已将16Gb DDR5的1α节点迁移到1β节点。

2023年第四季度DRAM和NAND均未出现供不应求的情况，这表明终端市场需求尚未完全恢复，因此在农历新年前的2月份，前景将较为保守。