【深铭易购】资讯：SK海力士今日宣布，公司将与台积电紧密合作，针对下一代HBM产品的生产和先进的HBM与逻辑层整合封装技术进行合作。双方近期签署了谅解备忘录（MOU），计划开发预计在2026年投入生产的HBM4，也就是第六代HBM产品。

SK海力士表示：“作为AI应用存储器领域的领先者，公司与全球顶级逻辑代工企业台积电的合作，将继续引领HBM技术的创新。通过三方技术合作，构建IC设计厂、晶圆代工厂和存储器厂之间的合作，公司将实现存储器产品性能的新突破。”

双方首先将致力于改善搭载在HBM封装中最底层的基础裸片（BaseDie）的性能。HBM是将多个DRAM裸片（CoreDie）堆叠在基础裸片上，通过TSV技术进行垂直连接而成。基础裸片还连接至GPU，起着对HBM进行控制的作用。

*硅通孔（TSV，Through Silicon Via）：通过在DRAM芯片上打上数千个微小的孔，并通过垂直贯通的电极连接上下芯片的技术。

SK海力士此前的HBM产品，包括HBM3E（第五代HBM产品），都是基于公司自身的制程工艺制造基础裸片。但从HBM4产品开始，公司计划采用台积电的先进逻辑工艺。如果基础裸片采用超细微工艺，将能增加更多功能。因此，公司计划生产性能和功效方面更能满足客户需求的定制化HBM产品。

与此同时，双方将协力优化SK海力士的HBM产品与台积电的CoWoS**技术融合，共同应对HBM相关客户的需求。

**CoWoS（Chip on Wafer on Substrate）：台积电独有的制程工艺，利用称为硅中阶层（Interposer）的特殊基板，将GPU、xPU等逻辑芯片和HBM进行封装。这种技术在2D封装基板上集成逻辑芯片和垂直堆叠的HBM，并整合成一个模组，因此也被称为2.5D封装技术。

SK海力士AI Infra负责人金柱善表示：“通过与台积电的合作伙伴关系，公司不仅将开发出最高性能的HBM4，还将积极拓展与全球客户的开放性合作。今后，公司将提升客户定制化存储器平台的竞争力，以巩固公司作为‘面向AI的存储器全方位供应商’的地位。”

台积电业务开发和海外营运办公室资深副总经理暨副共同营运长张晓强表示：“多年来，台积电与SK海力士已经建立了稳固的合作伙伴关系。通过将最先进的逻辑工艺与HBM产品相结合，我们为市场提供了全球领先的AI解决方案。展望新一代HBM4，我们相信两家公司通过密切合作提供最佳整合产品，将成为推动AI创新的重要力量。”