二极管的单向导电性，大于一定的电压传导等基本特性我们是非常熟悉的，但随着工作的深入，才会发现这些都是不够的，特别是当大功率设备或面临电磁干扰的问题时。因此，我们需要对二极管有更深入的了解，今天的重点是二极管的开关过程（也称为二极管的动态特性）及其影响。

       任何开关器件的状态切换在一夜之间就没有完成，并且在这个开关期间发生的事情是工程师注意到的事情。由于结电容的存在，当在三种状态之间切换时，二极管将具有过渡：零偏置、正向导通和反向截止。

       二极管的接通并不意味着当二极管的正向电压降大于某一电压（如0.7V）时，直接接通二极管的正向电压降，则正向电压降为0.7V。

事实上，当它的前向电压降从零增加到一个过充电压vfp时，它应该逐渐成为一个稳定的电压（如2v），并且在这一期间正电流不断增加。打电话给这次远期恢复时间。如下图1所示：

▼ 图-1 ▼

图1：零偏压转换为正向传导

        换句话说，二极管在瞬间产生一个正向尖峰电压，它比稳态电压uf大。过电压随di/dt的增加而增大。

       当对二极管施加反向电压时，它不会立即停止，而是需要一定的时间。在此期间，将出现电压和电流超调。这就是我们常说的反向恢复时间。下图-2：

▼ 图-2 ▼

图2：正向导转换为反向截止

Tf时，二极管的施加电压发生变化；

       在t0处，正向电流降至零，但二极管不能恢复到阻塞状态；

      在时间t1，反向电流达到最大IRP，然后反向过冲电压也达到最大URP。然后反向电流迅速下降，可以看出该曲线类似于电容器的放电曲线。实际上，它还表明了结电容放电复位的过程。

       在t2时，电流几乎不变，二极管恢复阻断反向电压的能力。

       二极管开关瞬间丢失。在二极管开启和关闭的时刻，电流和电压的乘法不为零，因此有开关损耗。这与使用mosfet作为硬开关时的开关波形类似。因此，在高功率和高频（开关数量大）的情况下，这种损失甚至更严重，不容忽视。

       二极管开关立即导致电磁干扰问题。可以看出，二极管在开关过程中会产生过电压和峰值电流，过高的dv/dt和di/dt将不可避免地导致EMI问题。

       通常，反向恢复电流的峰值与EMI中的传导有关。而且，尖峰电流之后可能会有一个振荡周期，这与电磁干扰中的辐射有关，所以有时我们在二极管上放一个磁环。

      ■因此，为了避免这些问题，有时我们使用快速恢复二极管或肖特基二极管，它们的恢复时间非常短。

       顺便说一下，正向恢复时间比反向恢复时间要短得多，所以我们通常在二极管的设备手册中看不到正向恢复时间的参数。

       最后，可以预测，二极管的损耗分析将在以后进行共享。

二极管中的结电容CT是不可忽略的。当它与电路中的寄生电感结合时，会产生谐波频率，从而引起电磁干扰问题。