【深铭易购】资讯：据业内最新消息，台积电预计于2028年在美国启动两座先进封装厂的建设计划，重点布局最前沿的SoIC与CoPoS封装技术，以满足当地日益增长的AI与高性能计算（HPC）芯片封装需求。

消息指出，这两座封装厂将与台积电位于美国的第三座晶圆厂相连，初期导入的封装技术并非广泛应用的CoWoS，而是技术更为领先的SoIC与尚处于开发初期的CoPoS。业内人士透露，SoIC目前已实现量产，是台积电在先进封装领域的关键技术，并具备与后段CoWoS以及未来CoPoS技术整合的潜力。

台积电第三座晶圆厂（F21 P3）将采用2纳米（N2）及A16先进制程技术，并已通知设备厂商将在2025年第二季度开始设备搬入。台积电同时确认，第三、第四座晶圆厂将采用N2与A16工艺，而第五、第六座晶圆厂则规划引入更先进的制程技术，整体建厂与量产进度将根据客户需求动态调整。

在封装方面，台积电的CoPoS技术尚属起步阶段，而SoIC因其技术成熟度高，已被AMD率先量产应用，未来也将被苹果、英伟达、博通等高端客户导入于旗舰产品中。台积电预计于2026年设立首条CoPoS实验产线，并已确定将量产基地落户嘉义AP7园区，目标于2028年底至2029年之间实现全面量产。