【深铭易购】资讯：据报道，三星电子正在将其位于中国西安的工厂升级为286层（V9）NAND闪存工艺，以应对市场的低迷并应对中国半导体公司日益激烈的竞争。从2023年起，三星便开始推动将西安工厂的主流128层（V6）NAND工艺转型为236层（V8）生产线。然而，公司决定进一步提升技术，安装一条V9生产线。三星计划在今年上半年引进该工艺所需的新设备，并计划在下半年建立一条月产2000至5000片晶圆的生产线。

此次升级是三星维持技术领先并确保长期竞争力战略的一部分。西安工厂是三星唯一的海外存储生产基地，在全球供应链中占据重要地位，约占三星NAND总产量的40%。此次升级至286层NAND工艺预计将显著提高生产能力。

2023年，美国拜登政府授予三星“经过验证的最终用户（VEU）”许可，这一决定至关重要。此许可使三星能够在中国生产超过200层的NAND，在地缘政治紧张的背景下，依旧能够使用先进的制造工艺。

业内人士指出：“三星不仅在韩国本土扩展先进NAND工艺，同时也在升级其在中国的NAND工艺。”这一双重战略彰显了三星在国内外保持竞争优势的决心。自2024年下半年起，三星还将致力于将400层（V10）NAND技术应用于平泽P1工厂的量产线，并可能在今年下半年实现初步量产。

三星电子表示：“我们计划加速向236层和286层NAND的过渡，以确保长期的产品竞争力。”

尽管取得了这些技术进展，三星预计今年第一季度每月将生产42万个NAND单元，比上一季度减少25%。这一下降反映了移动设备和PC市场需求的疲软，受价格上涨和利率上升等经济因素影响。然而，人工智能（AI）数据中心等行业需求持续增长，促使三星等公司专注于高性能、高容量的NAND生产。