【电子元器件采购网】9月30日资讯，日本经济产业省（METI）正准备对开发新一代低能耗半导体材料“三氧化镓”的私企和大学提供财政支持。据悉，METI明年将对这一项目提供约2030万美元的资金支持，未来5年的投资额预计将达到8560万美元（约合5.83亿元人民币）。

在全球各国目前仍普遍停留在第三代半导体材料的研发生产层面之际，日本却开始向有着第四代半导体材料之称的氧化镓发起挑战，这对于提高该国在芯片上游材料供应领域的竞争力，无疑有着重要的意义。

近期，受到美国芯片出口调整的影响，芯片成为人们普遍关注的话题。而随着竞争加剧，半导体材料大国、控制着芯片上游供应链的日本，正在加速研发新一代的半导体材料。

值得一提的是，美国可能是日本此举最重要的挑战对手之一。据悉，当地时间周二（9月29日）晚上，荷兰巨头恩智浦半导体公司正式宣布，该企业已经在美国的亚利桑那州钱德勒市建厂，这家工厂将被用于生产第三代半导体氮化镓芯片。

据悉，恩智浦准备为其美国工厂配备一个研发中心，以助其加快氮化镓芯片的专利申请，并且预计到今年年底该工厂将正式开始生产。

另外，今年中国已经开始计划大量支持第三代半导体产业，并将其写入“十四五”规划之中，试图在2025年之前实现产业独立自主。

美国芯片出口调整正带来一系列的连锁反应，全球的芯片研发生产竞争也在不断加剧。在这一背景下，如果日本不加速研发第四代半导体材料，那么该国对芯片行业上游的垄断地位很可能会遭到挑战。