【电子元器件采购网】11月21日资讯，三星将在美国德州奥斯汀的半导体子公司启动EUV专用系统LSI新厂投资计划，以达到2022年量产3纳米芯片，此项投资高达100亿美元，月产能约7万片。

此前业界就已传出，三星电子正计划在韩国华城、平泽以及美国德州奥斯汀等地建立EUV生产体系，作为7纳米以下芯片的生产基地，相关行业人士表示，三星在奥斯汀的新厂已确认将生产非内存半导体和系统 LSI。

三星副会长李在镕上个月亲访荷兰ASML总部，实地了解EUV设备生产情况，并希望提前交付预定的EUV生产设备。在最新的报道中，并未提到三星目前美国工厂的进展，包括是否已经通过美国政府的审查或已进入最终阶段。