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    三星将投100亿美元,在美国启动量产3纳米芯片计划 - 深铭易购

    发布者:深铭易购     发布时间:2020-11-21    浏览量:25

    【电子元器件采购网】11月21日资讯,三星将在美国德州奥斯汀的半导体子公司启动EUV专用系统LSI新厂投资计划,以达到2022年量产3纳米芯片,此项投资高达100亿美元,月产能约7万片。


    此前业界就已传出,三星电子正计划在韩国华城、平泽以及美国德州奥斯汀等地建立EUV生产体系,作为7纳米以下芯片的生产基地,相关行业人士表示,三星在奥斯汀的新厂已确认将生产非内存半导体和系统 LSI。


    三星副会长李在镕上个月亲访荷兰ASML总部,实地了解EUV设备生产情况,并希望提前交付预定的EUV生产设备。在最新的报道中,并未提到三星目前美国工厂的进展,包括是否已经通过美国政府的审查或已进入最终阶段。

    注:图文源自网络,如有侵权问题请联系删除。

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