【深铭易购】资讯：8月25日，SK海力士宣布成功开发出321层、容量达2Tb的QLC NAND闪存*产品，并已正式开始量产。公司表示，这是全球首次完成300层以上QLC NAND闪存的开发，再次突破了存储技术的极限。该产品不仅在现有NAND闪存中实现了最高集成度，还在经过全球客户验证后，计划于明年上半年正式进入AI数据中心市场。

* NAND闪存芯片根据每个单元（Cell）可以存储的信息量（比特,bit），分为SLC（Single level Cell,1位）、MLC（Multi Level Cell,2位）、TLC（Triple Level Cell,3位）、QLC（Quadruple Level Cell,4位）、PLC（Penta Level Cell,5位）等不同规格。单元的信息存储容量越大，意味着单位面积内可储存的数据越多。

为了提升产品的成本竞争力，SK海力士将新一代NAND闪存容量提升至2Tb，实现容量翻倍。通常情况下，NAND闪存容量越大，单元储存信息越多，存储管理复杂度增加，数据处理速度容易下降。为解决这一问题，公司将闪存内部可独立运行的平面*架构由四平面扩展为六平面，从而显著提升并行处理能力，有效缓解大容量带来的性能下降。

* 平面（Plane）：是指可以在单一芯片内能够独立运行的单元和外围电路。将其从4个增加至6个，改善了数据处理性能（Data Bandwidth）之一的同时读取性能。

新产品不仅实现了高容量，还在性能上有显著提升。数据传输速度提升一倍，写入性能最高提升56%，读取性能提升18%，数据写入能效也提高了23%以上，使其在低功耗的AI数据中心等应用场景中更具竞争力。

SK海力士计划先将321层NAND闪存应用于PC端固态硬盘（SSD），随后逐步拓展至企业级固态硬盘（eSSD）和智能手机嵌入式存储（UFS）产品。同时，公司还将基于堆叠32个NAND晶片的独有封装*技术，实现比现有产品高一倍的集成度，正式进入面向AI服务器的超高容量eSSD市场。

* 32DP（32 Die Package）：是指为了提升芯片（Chip）容量，将32个Die（裸芯）封装在同一封装中的方式。

SK海力士NAND开发负责人郑羽杓副社长表示，此次产品量产不仅大幅强化了高容量存储产品组合，还确保了成本优势。面对快速增长的AI需求和数据中心市场的高性能要求，公司将以“全方位面向AI的存储器供应商（Full Stack AI Memory Provider）”的身份，推动存储技术实现更大飞跃。