【深铭易购】资讯：近日，半导体行业普遍预测，由人工智能（AI）浪潮带动的新一轮内存半导体“超级周期”将比以往任何一次繁荣期更持久、更强劲。随着AI服务器投资的持续增长、传统服务器内存的更新换代需求增加，以及终端设备端AI（on-device AI）应用的快速普及，业内预计未来3至4年内存市场或将面临持续性的“供不应求”局面。

据业内消息人士透露，三星电子、SK海力士等主要内存厂商正计划在今年第四季度将DRAM与NAND的供应价格上调最高30%，并已开始与客户沟通相关方案。与此同时，花旗、摩根士丹利等全球投行近期在半导体产业报告中，也将第四季度DRAM平均销售价格（ASP）上涨幅度的预测上调逾10个百分点，预计涨幅最高可达25%至26%，进一步强化了市场对价格上涨的预期。

推动此次超级周期的核心动力，是AI带来的内存需求爆发。谷歌、微软、亚马逊、Meta与OpenAI等科技巨头正大规模投入AI数据中心建设，带动对AI服务器专用高带宽内存（HBM）的强劲需求。业内预计，到2030年，HBM市场规模将达到约1000亿美元，是当前的三倍以上。

此外，HBM产品的盈利能力同样显著提升。预计从明年起量产的第六代HBM——HBM4 12层产品，单价高达约500美元，比第五代HBM3E（约300美元）高出逾60%。美光科技首席业务官Sumit Sadana在近期采访中指出：“HBM生产所需的晶圆产能是标准DRAM的三倍以上，而由于新建产线周期较长，供应紧张的状况预计将在明年进一步加剧。”