【深铭易购】资讯：据韩国媒体报道，为满足快速增长的市场需求，三星电子已全面启动下一代DRAM的大规模扩产计划，预计在明年底前将10nm级第六代DRAM（1c DRAM）的月产能提升至20万片，远超当前水平。

根据最新规划，三星1c DRAM的月产能将在今年第四季度率先提升至6万片，并在明年第二季度再增加8万片。随后，公司将在2026年第四季度进一步扩增6万片，使整体月产能达到20万片。上述产能爬坡均以设备安装完成为时间节点，目标是在每个阶段实现即时量产条件。知情人士透露：“三星计划在明年底前持续加强1c DRAM供应能力，以抢占下一代市场的战略先机。”

1c DRAM是三星最新一代高阶内存产品，其线宽小于11nm，并采用多层EUV光刻技术，是三星近年的重点研发方向。此次扩产将使1c DRAM占据三星整体DRAM月产能（约65～70万片）的三分之一规模，甚至超过2022年半导体景气高峰时期新增的约13万片扩建量。业内预期，三星将通过既有产线的制程转换，以及平泽P4新厂投资，完成本轮扩产计划。

随着AI应用全面推升DRAM需求，市场不仅HBM供应持续紧俏，一般DRAM同样出现短缺，甚至“提前预订未来产能”的情况愈发常见。在成功开发1c DRAM之后，三星因应这一需求趋势加速投入，以更具竞争力的产品组合抢占DRAM上行周期中的定价主导权。

值得关注的是，三星规划的HBM4产品也将采用1c DRAM作为核心制程，这意味着新增的1c DRAM产能中，或有相当比例将用于HBM4的量产。

近期，三星宣布未来五年将投资450万亿韩元，用于先进制程研发与产能建设。公司指出，AI时代正显著拉动存储器中长期需求增长，必须提前布局产能以应对市场变化。随着1c DRAM量产规模不断扩大，三星未来在全球DRAM市场中的占比有望进一步提升，并缩小与SK海力士之间的差距。