韩国存储库存跌破十天,2027年或陷短缺

发布者:深铭易购     发布时间:2026-09-08    浏览量:--

【深铭易购】资讯:据韩国KB证券最新研究报告显示,三星电子与SK海力士的存储芯片库存已降至10天以内,随着人工智能(AI)基础设施投资持续扩大,全球存储市场可能在2027年进一步陷入严重供不应求的局面。KB证券同时认为,两家公司近期股价调整幅度较大,目前估值已处于相对低位,因此将三星电子和SK海力士列为半导体行业首选标的。

过去三个月,三星电子与SK海力士股价均较阶段高点下跌约38%,按照市场对明年盈利的预期计算,两家公司的市盈率已降至约3倍。KB证券研究部主管金东元表示,预计三星电子和SK海力士未来三年有望持续刷新业绩纪录,同时大规模股东回报政策仍将延续。在业绩增长和估值偏低的双重因素推动下,两家公司可能迎来新一轮估值重塑。

不过,相比股价表现,存储供应端的变化更加值得关注。金东元指出,截至第三季度,三星电子与SK海力士的存储库存均已低于10天,这意味着市场正在从单纯的需求复苏阶段,逐渐转向可销售库存快速消耗甚至接近耗尽的状态。

AI基础设施投资的快速增长正在进一步推动这一趋势。KB证券预计,存储产品在全球AI基础设施投资中的占比将从2025年的14%提升至2026年的40%,并在2027年进一步升至57%,两年内增长超过4倍。TrendForce也作出类似判断,预计到2027年,存储在AI基础设施投资中的占比可能达到68%。

与此同时,全球超大规模数据中心企业正在持续提高AI基础设施资本支出。KB证券预计,明年相关投资规模将达到约1.3万亿美元,同比增长约60%。随着AI服务器、数据中心以及高速计算系统建设加速,HBM、DRAM和NAND等存储产品的需求将持续增加,存储市场供需关系可能进一步趋紧。

在供应端,HBM4量产对产能的挤压被KB证券视为存储短缺的重要原因之一。随着存储厂商加快向HBM4转型,部分晶圆产能将从传统DRAM转向高带宽内存产品。KB证券指出,HBM4生产所消耗的晶圆产能约为通用DRAM的3倍,在晶圆产能有限的情况下,大规模扩产将对传统DRAM供应形成明显挤压。

在需求持续增长、库存快速下降以及产能结构调整的多重影响下,KB证券预计,2027年DRAM和NAND的位元需求可能较供应高出10个百分点以上。如果AI基础设施投资继续保持强劲增长,存储市场或将从当前的供需趋紧进一步演变为更加明显的供应短缺。

整体来看,AI产业的高速发展正在改变全球存储市场的供需结构。随着HBM4等高性能存储产品占用更多产能,传统DRAM与NAND的供应弹性可能受到限制。对于三星电子和SK海力士而言,低库存、高端存储需求增长以及产品结构升级或将成为未来业绩的重要驱动力,但同时也意味着存储产业链需要面对更加紧张的产能分配压力。


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