【深铭易购】资讯：据《首尔经济日报》周日报道，三星电子已决定采用台积电3纳米制程，为英伟达下一代定制高带宽内存（HBM）芯片生产基础裸片。若消息属实，这将标志着三星首次在HBM制造环节与台积电展开合作。

报道称，英伟达已要求三星电子、SK海力士和美光科技在生产NVHBM基础裸片时采用台积电的制造工艺，同时在核心裸片中使用第六代DRAM技术。NVHBM于今年8月发布，其主要特点是将英伟达定制的内存控制器集成至基础裸片，以推动不同内存厂商的产品在设计和实现方式上实现标准化。

据行业消息人士透露，三星经过内部评估后，已接受英伟达提出的工艺要求。不过，这一调整并不意味着三星将全面转向外部代工。对于标准HBM产品以及其他客户的定制化产品，三星仍计划维持自主生产模式。

此外，有未具名消息人士表示，三星正在评估自有晶圆代工业务承接NVHBM基础裸片生产的可行性。如果未来市场需求超过台积电的产能，三星或将考虑利用自身制造资源补充产能。这也意味着，尽管三星可能在该项目中采用台积电的先进制程，但仍在探索通过自有晶圆代工业务保留更多生产弹性的可能性。