【深铭易购】资讯：美光发布了一份新的路线图，首次提到几款针对服务器、台式机和移动芯片的新产品，包括每根内存容量高达256GB的DDR5-12800，以及在2024年底为英伟达下一代GPU推出的GDDR7。

美光新的路线图延长至2028年，并在去年7月的前一版路线图基础上增加了两年。有些内容进行了重新安排，还增加了几款新产品。最有趣的新增内容之一是HBM4，之前被列为“HBM Next”。美光目前的HBM3 Gen 2运行速度为1.2TB/s，有8个堆栈。HBM4在2026年推出时，将提供超过1.5TB/s的带宽，拥有12和16个堆栈。这将成为2027年之前的标准，届时第二代HBM4e将具备更高的容量和超过2TB/s的带宽。

对于游戏玩家来说，GDDR7到来的时间有所改变，新的路线图将其放置在2024年末。美光曾表示，它将在2024上半年推出，但该新路线图将日期推迟了几个月。与目前最快的GDDR6X模块（最高容量16Gb，带宽24Gb/s）相比，GDDR7容量和带宽都有所增加。第一批GDDR7的容量将增加到24Gb，运行速度为32Gb/s。带宽和容量将在两年后的2026年下半年增加，达到36Gb/s。英伟达曾表示，Blackwell将于2025年上市，下一代GeForce RTX 50系列有望使用美光GDDR7。

对于DDR5内存，美光为消费者和数据中心内存条制定了单独的路线，其计划的基础是昨天宣布的新的32Gb单片设计。该高容量模块将在128GB DDR5-8000内存条上使用，并将在2026年为桌面用户提供支持。与此同时，它还致力于开发用于服务器的多路合并阵列双列直插内存模组（MCRDIMM）产品，速度为8000MT/s。这种设计的巅峰将是运行速度为12800Mb/s的256GB内存条，将于2025年底发布。

在移动领域，美光将采用戴尔在2024年底推出的CAMM标准。美光的重点似乎是增加容量而不是带宽，因为它表示将采用8533Mb/s的内存条直到2026年。第一代设计将提供16GB到128GB内存，到2026下半年，每个模块的容量将增加到192GB甚至更高。