【深铭易购】资讯：最近，根据业内消息，三星的极紫外（EUV）光刻技术取得了显著的进展。在最近在釜山举行的“KISM2023”学术会议上，三星DS事业部研究员康永锡详细介绍了EUV技术的当前状况和未来展望。

据了解，三星EUV技术的关键在于使用EUV薄膜，这是半导体制造中光刻工艺所不可或缺的材料，能够发挥保护作用，防止外来颗粒引起缺陷。康永锡透露，三星所采用的EUV薄膜透光率已经达到90%，计划将其提高到94-96%。

90%的透光率意味着只有90%的光能够穿透薄膜到达掩膜，相较于更常见的氟化氩（ArF）光源使用的99.3%的薄膜透光率要稍低。

三星在一些先进的EUV代工生产线上引入了EUV薄膜，主要面向关键客户。尽管在DRAM生产线上也采用了EUV工艺，但鉴于生产效率和成本考虑，认为没有薄膜的存储器量产是可行的。

此外，康永锡暗示三星并未采用韩国国内供应商的EUV薄膜。他透露，目前日本三井是唯一的供应商。虽然韩国的企业如FST和S&S Tech正在积极开发EUV薄膜，但尚未达到量产阶段。