【深铭易购】资讯：台积电在IEEE国际电子器件会议（IEDM）的“逻辑的未来”小组上透露，其1.4纳米级制造技术的研发进展顺利。台积电强调，预计将于2025年实现2纳米级制造工艺的量产。

根据SemiAnalysis的Dylan Patel发布的幻灯片，台积电正式命名其1.4纳米生产节点为A14。目前，台积电尚未透露A14的量产计划和规格，但考虑到N2计划定于2025年末、N2P计划定于2026年末，因此可以合理猜测A14将在2027-2028年间推出。

目前尚不清楚，台积电是否将采用垂直堆叠互补场效应晶体管（CEFT）结构，或者将继续使用2纳米制程采用的环绕栅极场效应晶体管（GAAFET）。

有待观察的是，在2027年至2028年期间，台积电是否会为A14工艺技术采用高数值孔径EUV（High NA EUV）光刻机。考虑到那时英特尔等公司将采用并完善数值孔径为0.55的下一代EUV光刻机，芯片代工厂商可能更容易地应用这一技术。然而，由于高数值孔径EUV光刻机将掩模版尺寸减半，其使用将为芯片设计者和芯片制造商带来一些额外的挑战。