【深铭易购】资讯：三星电子宣布，将在其最新的Gate-All-Around（GAA）工艺技术上优化下一代Arm® Cortex™-X CPU。此次合作是在与Arm数年的紧密合作基础上进行的，已有数百万设备采用了Arm CPU知识产权（IP），并在三星晶圆厂提供的各种工艺节点上运行。

两家公司共同拥有雄心勃勃的计划，致力于重新定义2纳米（2nm）GAA工艺，为下一代数据中心和基础设施提供定制芯片，并同时推出开创性的人工智能（AI）芯片解决方案，将深刻改变未来生成式人工智能（AI）移动计算市场的格局。

三星宣布首次生产3纳米多桥-通道场效应晶体管（MBCFET™），基于其2022年的GAA技术。GAA技术能够在FinFET一代之外进一步缩小器件尺寸，降低供电电压水平，提高功率效率，同时增强驱动电流能力，实现更卓越的性能。

搭载三星下一代GAA工艺节点，Arm推出了经过优化的最新Cortex-X CPU，为用户带来额外的性能和效率提升，将用户体验提升至一个新的水平。

在持续交付产品的压力下，确保首次正确制造出具有最具竞争力的功耗、性能和面积（PPA）特性的硅片至关重要。因此，设计与制造不能再分别优化。从一开始，三星和Arm团队就采用了设计技术协同优化，这是实现下一代Cortex-X CPU设计架构和GAA工艺技术PPA优势最大化的关键因素。

生成式AI是新一波产品提供卓越用户体验的关键增长驱动因素。通过此次合作，三星和Arm在三星最新GAA工艺技术上优化下一代Cortex-X CPU的实施得以加速，推动行业领先性能的下一代产品创新。