【深铭易购】资讯：三星电子正在迅速占领高带宽存储（HBM）市场。该公司成功研发了12层DRAM的HBM3E芯片，有望很快超越目前的领导者，成为英伟达12层堆叠HBM3E芯片的唯一供应商。

据行业消息称，三星在开发12层HBM3E方面领先于竞争对手，并有望最早于2024年9月成为英伟达12层HBM3E的独家供应商。对此，三星表示无法透露客户信息。

2024年2月下旬，美光宣布8层HBM3E开始量产，与此同时，三星也宣布成功开发出36GB的12层HBM3E产品。三星强调，其12层HBM3E不仅具有更高的层数，还保持了与8层HBM3E相同的高度。

12层HBM3E的最大带宽达到1280GB/s，比8层HBM3提高了50%以上的性能和容量。三星预计将于2024年晚些时候开始量产12层HBM3E。

尽管三星尚未正式宣布HBM3E的量产计划，但英伟达CEO黄仁勋在最近举行的GTC 2024上确认，三星的HBM目前正在验证阶段。黄仁勋甚至在三星12层HBM3E的介绍旁边签名并写下“Jensen Approved”，这引发了人们对三星HBM3E通过验证过程的猜测。

在2024年国际固态电路会议（ISSCC 2024）上，三星宣布即将推出的HBM4具有2TB/s的带宽，比第五代HBM（HBM3E）增加了66%的带宽。此外，I/O数量也增加了一倍。

三星预计将于2026年量产HBM4，其研发与竞争对手的竞争备受关注。