联电携手英特尔进军美国12nm芯片

发布者:深铭易购     发布时间:2024-04-02    浏览量:--

【深铭易购】资讯:联华电子(UMC,简称“联电”)通过与英特尔的合作,成功获得了美国境内令人艳羡的生产基地,力图在半导体行业追求超越前沿的增长。联电与英特尔将共同研发相对成熟的12nm芯片技术,并计划在美国亚利桑那州的三家英特尔工厂进行合同生产。通信和其他领域的应用将于2027年开始批量生产。

芯片代工市场大致分为先进芯片和成熟芯片两大类。主导智能手机等设备核心的先进芯片领域主要由台积电和三星电子掌控。而在成熟芯片领域,来自中国台湾、中国大陆、韩国和美国的大约10家公司正在竞争,争夺通信设备、联网汽车和其他技术制造商的订单。据报道,中国台湾和中国大陆约占据成熟芯片总产能的四分之三。

英特尔正在调整其垂直整合的业务模式,以应对与台积电和三星的竞争,同时满足合同制造需求。今年3月,美国政府宣布向英特尔提供高达85亿美元的补贴,用于先进芯片的研发,以增强其竞争实力。通过与联电的合作,英特尔可以将更多资源投入到尖端技术如1.4nm工艺的研发中。

对于联电而言,与英特尔的合作将使其能够批量生产比目前主流22nm至28nm产品更先进的芯片。同时,在美国设立生产基地也将有助于联电赢得北美客户,目前该地区的收入占比不到30%。

联电与英特尔的合作将着重于相对成熟的芯片领域。根据TrendForce的数据,随着产量的增加,中国大陆在28nm及以上工艺的成熟芯片生产中的份额预计将从当前的31%上升到2027年的39%。

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