【深铭易购】资讯：美国存储芯片巨头美光（Micron）于6月5日宣布，预计在2025自然年，其高带宽内存（HBM）市场占有率将达到约20-25%，与其动态随机存取存储器（DRAM）市场占有率相当。此声明对SK海力士和三星这两家HBM主要竞争对手造成了压力。

根据韩国媒体BusinessKorea的报道，韩国DRAM大厂SK海力士的8层堆叠HBM3E产品在今年3月已经开始量产并交货，随后三星在今年4月也启动了量产。紧接着，SK海力士于4月底宣布将在今年第三季度完成12层HBM3E的开发，并计划2025年供货，但在一周内修改计划，宣布提前在今年5月提供样品，并在第三季度开始量产。

韩国市场人士表示，SK海力士的此举是受到美光积极HBM策略的影响。在今年第二财季电话会议上，美光表示，其HBM产品供不应求，2024年的供应已全部售罄，2025年的大部分供应也已分配完毕。在第三季财报电话会议上，美光宣布该财季内其第五代HBM（HBM3E）营收已超过1亿美元，并预计在下一财年HBM年收入将达到“数十亿美元”。美光计划在2025年将其HBM市场占有率提高到20-25%。

为了应对强劲的市场需求，美光还上调了2024财年的资本支出金额，从75-80亿美元增加到80亿美元，主要用于投资HBM产能。美光目前占有9%的HBM市场份额，正在考虑将马来西亚工厂转为HBM专用生产线，并扩大台中的HBM产线。美光在日本的新广岛工厂将成为HBM的生产基地，巩固其作为HBM市场主要供应者的地位。随着高性能计算、人工智能应用和GPU需求的持续增长，HBM市场竞争加剧，美光的策略和技术进步使其成为SK海力士和三星的强大竞争对手。

面对美光的强劲攻势，韩国市场人士表示，三星的HBM3E产品尚未获得英伟达的认证，目标是在第三季度完成8层堆叠HBM产品的认证，并在第四季度完成12层HBM产品的认证。若无三星的参与，全球HBM市场将无法得到充足的供应。三星今年计划将HBM供应量年增三倍以上，2025年增两倍多。三星已提供12层HBM样品，并计划在2025年量产12层HBM3E。

目前，SK海力士已占据全球HBM市场53%的份额，原计划在2026年量产12层堆叠第六代HBM（HBM4）现提前到2025年。其韩国清州M15x工厂正在建立整合HBM产线，包括极紫外线（EUV）设备，计划于2025年竣工，并在2026年第三季度投入运营。

另外，SK集团于6月30日宣布，旗下SK海力士将投资103万亿韩元（约合747亿美元），计划在2028年之前进一步加强其面向人工智能存储芯片业务。其中约80%的投资（即82万亿韩元）将用于发展高带宽内存（HBM）芯片，以推动与AI芯片发展的配合。