【深铭易购】资讯：随着高带宽内存（HBM）高价产品利润的快速增长，带动了产能挤压和行业供需改善，各大存储器制造商在2024年陆续重启资本支出进行投资。

业内初步估计，三大存储器供应商将重点放在HBM和高价DRAM上。尽管企业级存储需求强劲，但NAND闪存市场仍存在供过于求的隐忧。与过去两年相比，三星电子、SK海力士和美光今年对NAND闪存的资本投资不增反减。

尽管NAND闪存报价逐季上升，各大厂商的产能在下半年全面恢复到正常水平，但市场预计第三季度NAND闪存可能会略微供过于求，价格上涨也将趋于平缓。

以近年来主导HBM市场的SK海力士为例，最新公布的2023年第二季度财报显示，受惠于HBM和企业级SSD的强劲销售，营收和利润均创下佳绩。其中，HBM季度增长80%以上，年增长超过250%；企业级SSD季度增长约50%。SK海力士计划在2024年推出60TB的企业级SSD产品，并在2025年初将规格提升至128TB。

尽管SK海力士的NAND闪存第二季度ASP（平均售价）上涨了15%至19%，但位元出货量却出现低个位数的季度下降，这反映出其他NAND应用市场需求疲软，未能跟上市场价格的涨幅。

至于DRAM的位元出货量季度增长低于20%，ASP增长约15%，两者增长幅度相当。

虽然各大存储器厂商表示将在2024年至2025年继续增加资本支出，但业内估计，三星、SK海力士和美光的投资重点将集中在DRAM业务上，尤其是竞争激烈的HBM领域。在整体资源分配和转移下，2024年三家公司对NAND闪存的资本投资规模相较于2022至2023年有所减少，其合计比重将从2023年的超过70%下降到60%以上。

值得注意的是，尽管三星积极扩展HBM市场，但其在NAND领域的投入仍占整体产业的约40%至50%，显示出这一行业龙头的强大财力和巩固NAND霸主地位的决心。据悉，三星计划在平泽第四工厂（P4）建设NAND闪存产线，并计划在7月底前部署主要设备。