【深铭易购】资讯：美光正式推出适用于下一代人工智能（AI）和高性能计算（HPC）处理器的12层HBM3E量产版芯片，内存堆栈容量高达36GB，数据传输速度超过9.2Gb/s。美光表示，目前该芯片已送交AI行业的重要合作伙伴进行验证，以加速产品的应用落地。

9月9日，美光宣布其最新的12层堆栈HBM3E内存正式推出。这款新产品容量达36GB，专为AI和HPC工作负载设计，特别适用于如英伟达的H200及B100/B200等前沿GPU处理器。与之前的8层24GB版本相比，12层HBM3E的容量提升了50%，使数据中心能够在单一处理器上运行更大规模的AI模型，从而减少CPU频繁卸载的需求，降低GPU之间的通信延迟，并大幅提升数据处理速度。

在性能方面，12层HBM3E堆栈提供超过1.2TB/s的内存带宽，数据传输速率超过9.2Gb/s。美光还指出，HBM3E不仅在内存容量上比竞争对手高出50%，而且功耗低于同类8层HBM3E产品。

美光的12层HBM3E内存还集成了可编程的内存内置自检（MBIST）系统，能够模拟系统级流量，确保更快的产品验证和上市时间，同时提高系统可靠性。该内存设备与台积电的CoWoS封装技术兼容，后者广泛应用于如英伟达H100和H200的AI处理器封装中。

此外，美光透露，他们已开始开发下一代内存解决方案，包括HBM4和HBM4E，以满足AI处理器（如基于Blackwell和Rubin架构的英伟达GPU）对更高性能内存的需求。