【深铭易购】资讯：SK海力士于26日宣布，公司全球首家开始量产12层HBM3E新产品，成功实现现有HBM产品中最大的36GB（千兆字节）容量。

**高带宽存储器(HBM, High Bandwidth Memory): 一种高附加值、高性能存储器。与现有的DRAM产品相比，通过垂直互联多个DRAM芯片，使数据处理速度显著提高。该产品按照HBM第1代（HBM）-第2代（HBM2）-第3代（HBM2E）-第4代（HBM3）-第5代（HBM3E）的顺序开发，HBM3E是HBM3的扩展版

**现有的HBM3E最大容量为24GB，由8颗3GB DRAM芯片垂直堆叠而成

公司计划在年内向客户提供这些产品，此前在今年3月已全球首发8层HBM3E，仅六个月后再次展现其领先的技术实力。

SK海力士强调：“自2013年全球首次推出第一代HBM（HBM1）以来，我们是唯一一家开发并向市场供应全系列HBM产品的企业。此次成功量产的12层堆叠产品，不仅满足了人工智能企业日益增长的需求，还进一步巩固了SK海力士在AI存储器市场的领导地位。”

公司指出，12层HBM3E在满足AI存储器所需的速度、容量和稳定性等各方面，均已达到全球最高水平。其运行速度已提升至9.6Gbps，在搭载四个HBM的单个GPU运行大型语言模型（LLM）“Llama 3 70B”时，每秒可读取35次700亿个参数。

**Llama 3：Meta于2024年4月推出的开源大型语言模型，其提供8B（十亿）、70B、400B的三种规模

此外，SK海力士通过堆叠12颗3GB DRAM芯片，保持了与现有8层产品相同的厚度，同时提升了50%的容量。为此，单个DRAM芯片的制造厚度比之前减少了40%，并采用硅通孔技术（TSV）进行垂直堆叠。

**硅通孔技术（TSV，Through Silicon Via）：一种在DRAM芯片上打数千个微孔使其垂直互连至电极的先进封装（Advanced Packaging）技术。

**批量回流底部模制填充（MR-MUF，Mass Reflow Molded Underfill）： 在堆叠半导体芯片后，为了保护芯片间的电路，在其中填充液体保护材料，使其固化。有评价称，与每堆一个芯片就铺设薄膜型材料的方式相比，该技术提高了效率和散热效果。特别是SK海力士的先进MR-MUF技术，较现有技术减少了芯片堆叠时所施加的压力，提高了芯片的翘曲控制力(Warpage Control)，这是确保HBM稳定量产的关键。

SK海力士还成功解决了在更高层数堆叠薄芯片时可能出现的结构性问题。公司将其核心技术先进的MR-MUF工艺应用于该产品，使热量散发性能相比前一代提升了10%，并增强了对翘曲问题的控制，从而确保了产品的稳定性和可靠性。

SK海力士AI Infra负责人金柱善表示：“我们再次突破技术壁垒，证明了在AI存储器市场中我们独一无二的主导地位。为了迎接AI时代的挑战，我们将稳步准备下一代存储器产品，以巩固‘全球顶级AI存储器供应商’的地位。”