【深铭易购】资讯：11月26日，英特尔公司与美国商务部正式宣布，双方已就《芯片与科学法案》补贴条款达成协议。根据该协议，美国商务部将依据“芯片法案”向英特尔的商业半导体制造项目提供高达78.6亿美元的直接补贴资金。

这笔资金将支持英特尔在亚利桑那州建设两座尖端逻辑晶圆厂，升级新墨西哥州的两座先进封装设施，同时在俄勒冈州投资建立美国领先的前沿技术开发中心。自《芯片与科学法案》通过以来的两年间，英特尔已宣布计划在美国投资超过1000亿美元，以大幅扩展对经济和国家安全至关重要的芯片制造及先进封装能力。这些重大投资预计将创造数万个就业岗位，增强美国供应链的韧性，推动研发发展，并确保美国在尖端半导体制造和技术上的全球领先地位。

此外，英特尔计划申请美国财政部提供的投资税收抵免政策，预计将涵盖超过1000亿美元合格投资的25%。此次正式协议的达成，是在此前签署的初步条款备忘录以及商务部完成尽职调查后作出的。值得注意的是，最终补贴金额低于此前公布的85亿美元，这是因为美国国会要求“芯片法案资金”中划拨30亿美元用于Secure Enclave计划。

根据相关资料，2024年9月，英特尔成功赢得了价值高达30亿美元的Secure Enclave计划合同。该计划旨在扩大美国政府对尖端半导体的可信制造能力，并通过快速保证微电子原型-商用（RAMP-C）和最先进的异构集成封装（SHIP）计划，进一步巩固了英特尔与美国国防部的合作关系。

英特尔首席执行官帕特·基辛格表示：“Intel 3技术已进入大规模生产阶段，Intel 18A技术也将在明年投入量产。尖端半导体制造正在重新回到美国本土。两党对恢复美国技术和制造业领导地位的支持，正推动着这些历史性的投资，这对于国家的长期经济增长和安全至关重要。英特尔将继续坚定致力于推动这些优先事项，并在未来几年进一步扩大在美国的业务规模。”

值得一提的是，英特尔在先进半导体制造领域取得了重要突破，完成了全球首台商用高数值孔径极紫外（High NA EUV）光刻机的安装，并在俄勒冈州希尔斯伯勒的研发基地成功部署了另一台高数值孔径光刻机。这一成就将帮助英特尔引领下一代芯片制造技术的发展。