【深铭易购】资讯：据报道称，在先进封装领域，联电积极进军并传来好消息，成功获得高通高性能计算（HPC）先进封装大单，涵盖AI PC、车用应用以及目前备受关注的AI服务器市场，甚至包括高带宽存储器（HBM）整合。这一突破不仅为联电带来了新的业绩增长动力，也打破了台积电在先进封装市场的独占局面。

联电表示，虽然公司没有回应单一客户的具体问题，但强调先进封装是其重点发展领域，并计划与智原、矽统等子公司共同推动，结合存储合作伙伴华邦，共同打造先进封装的生态系统。

目前，联电在先进封装制程方面仅供应中介层（Interposer），主要应用于RFSOI制程，虽然对整体营收贡献有限，但全球的先进封装市场仍由台积电主导。随着高通决定采用联电的先进封装制程来打造HPC芯片，这无疑为联电打开了新的市场，并有效打破了台积电的市场垄断。

知情人士透露，联电赢得了高通的先进封装大单。根据相关规划，高通将采用半客制化的Oryon架构核心委托台积电进行先进制程量产，再将晶圆交由联电进行先进封装，预计将使用联电的WoW Hybrid bonding（混合键合）技术，这意味着联电将在先进封装领域全面展开布局。

业内分析认为，为了进一步拓展AI PC、车用和服务器等市场，高通将利用联电的先进封装技术进行晶圆堆叠，并结合PoP封装技术，取代传统的锡球焊接封装方式，从而缩短芯片间的信号传输距离，提升计算效能，而无需通过提升晶圆制程来实现这一目标。

根据业内人士的观点，先进封装的核心技术在于需要高精度的曝光机台制造中介层，并且需要通过精密的矽穿孔技术，让2.5D或3D封装中的芯片能够相互连接。联电不仅具备制造中介层所需的设备，还早在十年前就将TSV制程应用于超微GPU芯片订单，这使得联电完全具备了先进封装制程的量产能力，成为高通选择联电的主要原因。

业内预测，由于高通计划在2025年下半年开始试产，预计将在2026年进入量产阶段。