电子元器件三极管外部各极电压和电流的关系曲线，称之为三极管的性能曲线，别称伏安特性曲线。它不但能体现三极管的产品品质与性能，还能用于定量地计算出三极管的一些叁数，是分析和设计三极管电路的重要依据。

       针对三极管的不一样接口方式，拥有不一样的性能曲线。运用最普遍的是共发射极集成运放，其主要检测电路如图Z0119所示，共发射极性能曲线能够用描点法画出，还可以由晶体管性能图示仪直接显示出来。

        在三极管共射极连接的状况下，当集电极与发射极相互间的电压UBE 保持不一样的定值时，

       UBE和IB相互间的一簇关系曲线，称之为共射极输入性能曲线，如图Z0119所示。输入性能曲线的数学关系式为：

由图Z0119 可以看得出这簇曲线，有下边几个特点：

（1）UBE = 0的一条曲线与二极管的正向性能差不多。这意味着UCE = 0时，集电极与发射极发生故障，相等于2个二极管并联，这样IB与UCE 的关系就变成2个并联二极管的伏安性能。

（2）UCE由零开始慢慢变大时输入性能曲线右移，并且当UCE的数值增加到较大时（如UCE＞1V），各曲线基本上重叠。这由于UCE由零慢慢变大时，使集电结宽度慢慢扩大，基区总宽相对地缩减，使存储于基区的注入载流子的总数降低，复合降低，因此IB缩减。如保持IB为定值，就需要增加UBE ，故使曲线右移。当UCE 比较大时（如UCE ＞1V），集电结所加反向电压，已足可以注入基区的非平衡载流子绝大多数都拉向集电极去，以至UCE再增加，IB 也不再显著地降低，这样，就产生了各曲线基本上重叠的现像。

（3）和二极管相同，三极管也有1个门限电压Vγ，一般硅管约为0.5～0.6V，锗管约为0.1～0.2V。

       输出特性曲线如图Z0120所示。

        由图还可以看得出，输出特性曲线可分成3个区域：

（1）截止区：指IB=0的那条性能曲线以下的区域。在这一区域里，三极管的发射结和集电结都位于反向偏置模式，三极管失去了放大功能，集电极只有细微的穿透电流IcEO。

（2）饱和区：指绿**域。在这一区域内，相匹配不同IB值的输出特性曲线簇基本上重合在一起。换句话说，UCE较小时，Ic虽说增加，但Ic增加很小，即IB失去了对Ic的控制力。这种情况，称之为三极管的饱和。饱和时，三极管的发射给和集电结都处在正向偏置模式。三极管集电极与发射极间的电压称之为集一射饱和压降，用UCES表示。UCES很小，一般中小功率硅管UCES＜0.5V；三极管基极与发射极相互间的电压称作基一射饱和压降，以UCES表示，硅管的UCES在0．8V上下。

OA线叫做临界饱和线（绿**域右边缘线），在这一曲线上的每一点应有

|UCE| = |UBE|。它是各性能曲线大幅度转弯点的连线。在临界饱和状态下的三极管，其集电极交流电叫做临界集电极电流，以Ics表示；其基极电流叫做临界基极电流，以IBS表示。此时Ics与IBS 的关联依然成立。

（3）放大区：在截止区以上，介于饱和区与击穿区相互间的区域为放大区。在这一区域内，性能曲线无限接近一簇平行等距的水平线，Ic的变迁量与IB的变量基本维持线性相关，即ΔIc=βΔIB，且ΔIc <<ΔIB ，也就是说在这一区域内，三极管具备电流放大功用。除此之外集电极电压对集电极电流的操控作用也不强，当UCE＞1 V后，即便再提高UCE，Ic 基本上已不增加，此时，若IB 不变，则三极管可以当做是一个恒流源。

       在放大区，三极管的发射结处于正向偏置，集电结处于反向偏置状态。所以说啊，电子元器件一行的只是博大精深都需要我们一步一个脚印的去探索。