传SK海力士将斥资40亿美元赴美建厂!

发布者:深铭易购     发布时间:2024-03-27    浏览量:114

【深铭易购】资讯:据报道,英伟达(NVDA-US)的供应商韩国 SK 海力士(SK Hynix)计划在美国印第安纳州投资40亿美元兴建一座先进芯片封装工厂,并计划于2028年投产。

据悉,SK 海力士的工厂将毗邻普渡大学(Purdue University),预计将创造约800至1,000个工作机会,而普渡大学是美国最大的半导体和微电子工程计划的所在地之一。此外,SK 海力士预计将获得州和联邦税收优惠以及其他形式的支持,以资助其建厂计划。

知情人士表示,该厂可能在2028年开始运作,SK 海力士董事会将很快就建厂计划进行投票,做出决定。值得注意的是,SK 海力士曾考虑在亚利桑那州建厂,但最终选择了印第安纳州,部分原因是普渡大学能够提供大量熟练工程师。亚利桑那州的芯片产业蓬勃发展,台积电(2330-TW)和英特尔(INTC-US)都在该州设厂。

对于上述报道,SK 海力士发言人表示,公司正在审查在美国先进芯片封装方面的投资,但尚未做出决定。

此前的报道指出,先进封装是拜登政府芯片法(U.S. Chips Act)重点关注的一部分。据研究机构SemiAnalysis称,SK 海力士的工厂有望成为全美第一座HBM大规模封装厂。

根据SemiAnalysis的最新估算,以存储容量计算,SK 海力士约占HBM市场的73%,三星电子约占22%,总部位于爱达荷州的美光(MU-US)约占5%。

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