三星第六代10nm级1c DRAM 延期半年
发布者:深铭易购 发布时间:2025-01-22 浏览量:--
【深铭易购】资讯:据韩国媒体报道,三星电子此前宣布将于2024年底完成第六代10nm级1c DRAM制程的开发并开始量产,但由于良率未能达到预期,开发进度推迟了6个月,预计要到2025年6月才能完成。这也意味着原定于下半年量产的第六代高频宽内存(HBM4)将一同推迟。
报道引用市场人士的话称,三星在第六代10nm级1c DRAM制程的研发中遇到了一定的困难。虽然三星在2024年底左右已经交付了首批测试芯片,但由于良率未能如预期提升,导致开发周期被延长。在接下来的6个月里,三星预计将良率提升至约70%。根据业内经验,每一代制程的开发周期通常为18个月左右。然而,自2022年12月三星发布第五代10nm级1b DRAM制程并于2023年5月宣布量产以来,关于1c DRAM的进展信息一直没有披露。
若第六代10nm级1c DRAM制程的开发到量产周期正常为6个月,那么实际量产预计将在2025年底完成。这样的延后进度也将影响三星目前处于关键竞争阶段的HBM产品发展。以1c DRAM制程为例,核心产品为DDR5内存,而HBM则是其衍生产品,通常开发进度会落后于核心产品。这意味着一旦核心产品的量产推迟至2025年底,HBM的量产也可能会延迟至2025年以后。这一变化与三星之前宣布的计划——即2025年下半年开始使用1c DRAM制程量产HBM4的安排相悖,也影响了三星在HBM市场的竞争力。
三星计划在2025年上半年全力推进第六代10nm级1c DRAM制程的研发,争取尽快提高良率。由于竞争对手SK海力士选择采用稳定的方式,将第五代10nm级1b DRAM制程用于HBM4,而三星则决定采取更加激进的策略,快速提升性能和能效。为了实现这一目标,尽快量产将是关键。韩国半导体行业人士表示,三星正在调整1c DRAM部分设计,以尽早克服技术瓶颈。
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