【深铭易购】资讯：据报道，英飞凌近日通过官网宣布，已在其200毫米（8英寸）碳化硅（SiC）技术路线图上取得了重要进展，并计划于2025年第一季度向客户发布首批基于这一先进200毫米SiC技术的产品。

目前，绝大多数SiC器件采用150毫米晶圆进行制造，而采用更大尺寸的200毫米晶圆面临着众多技术挑战。然而，使用200毫米晶圆制造SiC器件是降低成本的关键步骤。许多其他公司，如Wolfspeed、意法半导体（ST）、安森美（onsemi）以及罗姆和三菱电机，也在积极研发200毫米技术。

英飞凌的高压器件主要在奥地利菲拉赫工厂生产，但此次新一季度的出货标志着英飞凌在马来西亚居林制造基地的Module 3生产线也成功实现了150毫米晶圆向200毫米晶圆的过渡。这一转型为英飞凌在全球范围内推动SiC器件的生产升级提供了新的动力。

菲拉赫与居林两大生产基地共享先进的技术与工艺，这为加速SiC与氮化镓（GaN）器件的生产进程，并确保高效、平稳的运营提供了保障。

英飞凌首席运营官Rutger Wijburg表示：“我们的SiC生产进展顺利，我们非常高兴能够按计划推出第一批产品。通过逐步提升菲拉赫与居林的SiC产量，我们不仅在提高成本效率，还确保了产品的质量。同时，我们正在不断扩展生产能力，以满足市场对SiC功率半导体日益增长的需求。”