【深铭易购】资讯：据最新消息，英特尔与中国台湾晶圆代工厂联华电子（UMC，联电）正在深化合作，除了此前公布的12nm FinFET工艺平台外，双方还被传出将共同推进先进制程技术开发。这项合作不仅让联电有机会重返先进制程领域，也成为英特尔强化晶圆代工业务、挑战行业龙头地位的重要布局。

联电自2017年宣布不再参与10nm以下先进制程竞争后，长期将发展重心放在成熟制程及特殊工艺市场。然而，随着人工智能、高性能计算等应用快速发展，先进芯片需求持续攀升，全球晶圆代工市场竞争格局也发生变化。近年来，联电市场份额持续下滑，并已被中芯国际超越，全球排名降至第四位。2026年第一季度，联电全球晶圆代工市场份额进一步降至3.9%。

另一方面，英特尔自2021年推行“IDM 2.0”战略以来，持续加大先进制程研发投入，并积极拓展晶圆代工业务，希望在2030年前跻身全球领先代工厂之列。为了吸引更多客户并提升产能利用率，英特尔选择与拥有广泛客户基础和代工经验的联电展开合作。

早在2024年1月，双方便宣布共同开发12nm FinFET制程平台，并计划利用英特尔位于美国亚利桑那州Ocotillo园区的生产设施服务客户。尽管英特尔随后因大规模扩产及核心业务压力遭遇财务挑战，但新任CEO陈立武上任后并未放弃代工战略，而是将资源集中于先进制程及美国本土制造业务的发展。

目前，双方12nm项目进展顺利。据报道，相关工艺设计套件（PDK）预计将在2026年交付客户，2027年初完成首次流片，并于同年底进入量产阶段。该工艺主要瞄准物联网、Wi-Fi芯片等应用市场。联电总裁王石也于今年5月透露，相关验证工作正在英特尔亚利桑那州工厂进行，预计年底完成验证并于2027年量产。

在此基础上，双方还被曝正推动3nm制程合作计划。根据消息人士透露，该合作模式与12nm项目类似，由英特尔提供先进制造能力和晶体管技术经验，联电则贡献其成熟的代工服务体系及客户资源，以协助提升英特尔晶圆厂的产能利用率。

据了解，相关3nm生产计划将主要依托英特尔位于亚利桑那州Ocotillo园区的工厂群，包括Fab 12、Fab 22、Fab 32等厂区，部分消息则指出Fab 52可能成为核心生产基地。

对于联电而言，与英特尔合作意味着无需承担独立建设先进制程产线及采购EUV极紫外光刻设备所需的巨额投资，便能重新进入先进制程市场，大幅降低技术升级和资本支出的风险。

消息称，双方此次合作目标不仅是开发先进节点工艺，更希望打造性能可与台积电3nm制程竞争的解决方案，直接切入高端晶圆代工市场。如果计划顺利推进，联电将时隔近十年重返先进制程赛道，与台积电和三星等行业巨头展开竞争。

对于英特尔来说，这也将是其首次通过合作模式布局3nm级别晶圆代工服务，有助于向全球客户展示其先进制造能力，并进一步扩大其晶圆代工业务影响力。

不过，截至目前，英特尔与联电均未对上述3nm合作传闻作出正式回应，相关计划仍有待双方进一步确认。