晶体和PCB布局的选择将对VCXO和CLK发生器的性能参数产生一定的影响。选择晶体时，除频率，封装，精度和工作温度范围外，VCXO应用中还应注明等效串联电阻和负载电容。串联电阻导致晶体的功耗增加。电阻越低，振荡器就越容易振荡。

　　负载电容是晶体的一个重要参数。首先，它决定了晶体的共振频率。一般晶体的名义频率是指晶体与指定负载电容器并联后的谐振频率。应指出，当cl等于规定的负载电容时，这里的额定频率是由公式(1)计算的，而不是由计算值计算的。

　　因此，vcxo的调优范围与cl的值密切相关。当负载电容值小时，vcxo的调优范围限制在上端;同样，当电容值大时，调优范围限制在下端。负载电容的适当值取决于vcxo的特性。例如，在Max9485设计中，为了平衡调优范围，调优曲线的中点，同时简化电路板设计，我们选择了带14pf负载电容的黄道带(ecx-5527-27)27mhz晶体。

　　使用这种晶体时，MAX9485的牵引范围为±200ppm。应该注意的是，封装将导致拉晶范围的差异。通常，金属壳封装具有比表面安装器件(SMD)更大的牵引范围。然而，由DAISHINKU生产的新型SMD晶体最近达到了类似于金属壳晶体的牵引范围。

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