MOS晶体管是集成电路中的绝缘性场效应晶体管。深铭易购电子元器件网上商城指出：MOS被称为金属氧化物半导体或金属氧化物半导体。准确地说，这个名字描述了集成电路中的MOS晶体管的结构，即在特定结构的半导体器件中加入二氧化硅和金属以形成栅极。MOS晶体管的源极和漏极都可以调谐，这两个区域都是在P型背门中形成的N形区域。在大多数情况下，这两个区域是相同的。即使两端对齐，设备的性能也不会受到影响。这种装置被认为是对称的。

　　管道的类型和结构

　　MOSFET是一种FET(另一种是JFET)，可以制造为增强型或耗尽型。有四种类型的P沟道或N沟道，但实际上只使用增强型N沟道MOS。管型号和增强型P沟道MOS管型号，通常称为NMOS，或PMOS指的是这两种。原因是导通电阻小且易于制造。因此，在开关电源和电动机驱动的应用中，通常使用NMOS。MOS管的三个引脚之间存在寄生电容，这不是我们所需要的，但是由于制造工艺的限制。

　　MOS管工作原理

　　MOS晶体管(N沟道增强型MOSFET)的工作原理是利用VGS来控制“感应电荷”的多少，从而改变这些“感应电荷”形成的导电通道的状态，从而达到控制漏电流的目的。在管道制造过程中，通过这一过程，绝缘层中会出现大量的正离子，从而在界面的另一侧产生更多的负电荷。这些负电荷连接高渗透性杂质的N区，形成导电通道。即使在Vgs=0的情况下，也会有一个大的漏电流ID，当栅极电压发生变化时，通道内的感应电荷发生变化，传导通道的宽度也发生变化，因此漏电流ID会随着栅极电压的变化而变化。

　　MOS管的分类

　　根据通道材料类型和绝缘门类型，分为n通道和p通道;根据导电方式：莫氏管分为耗损型和增强型;因此，莫氏场效应晶体管分为n型耗损型和增强型;p型耗损型和增强型四类：n型耗损型、n型耗损型、p型耗损型、p型耗损型。

　　MOS管应用电路

　　MOS管最显著的特点是其良好的开关特性，因此广泛应用于需要电子开关的电路中。通常用作开关电源，也有照明调光。

　　目前，在MOS驱动和低压应用中使用5V电源时，如果采用传统的图腾极结构，由于晶体管BE的电压降约为0.7V，实际加在栅极上的电压仅为4.3V，此时选择标称栅极电压为4.5V的MOS晶体管存在一定的风险，同样的比例也适用。当使用3V或其他低压电源时，会出现问题。