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    电子元器件基础知识:MOS管电路工作原理与应用

    发布者:深铭易购商城     发布时间:2019-06-27    浏览量:216

      MOS晶体管是集成电路中的绝缘性场效应晶体管。深铭易购电子元器件网上商城指出:MOS被称为金属氧化物半导体或金属氧化物半导体。准确地说,这个名字描述了集成电路中的MOS晶体管的结构,即在特定结构的半导体器件中加入二氧化硅和金属以形成栅极。MOS晶体管的源极和漏极都可以调谐,这两个区域都是在P型背门中形成的N形区域。在大多数情况下,这两个区域是相同的。即使两端对齐,设备的性能也不会受到影响。这种装置被认为是对称的。

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      管道的类型和结构

      MOSFET是一种FET(另一种是JFET),可以制造为增强型或耗尽型。有四种类型的P沟道或N沟道,但实际上只使用增强型N沟道MOS。管型号和增强型P沟道MOS管型号,通常称为NMOS,或PMOS指的是这两种。原因是导通电阻小且易于制造。因此,在开关电源和电动机驱动的应用中,通常使用NMOS。MOS管的三个引脚之间存在寄生电容,这不是我们所需要的,但是由于制造工艺的限制。

      MOS管工作原理

      MOS晶体管(N沟道增强型MOSFET)的工作原理是利用VGS来控制“感应电荷”的多少,从而改变这些“感应电荷”形成的导电通道的状态,从而达到控制漏电流的目的。在管道制造过程中,通过这一过程,绝缘层中会出现大量的正离子,从而在界面的另一侧产生更多的负电荷。这些负电荷连接高渗透性杂质的N区,形成导电通道。即使在Vgs=0的情况下,也会有一个大的漏电流ID,当栅极电压发生变化时,通道内的感应电荷发生变化,传导通道的宽度也发生变化,因此漏电流ID会随着栅极电压的变化而变化。

      MOS管的分类

      根据通道材料类型和绝缘门类型,分为n通道和p通道;根据导电方式:莫氏管分为耗损型和增强型;因此,莫氏场效应晶体管分为n型耗损型和增强型;p型耗损型和增强型四类:n型耗损型、n型耗损型、p型耗损型、p型耗损型。

      MOS管应用电路

      MOS管最显著的特点是其良好的开关特性,因此广泛应用于需要电子开关的电路中。通常用作开关电源,也有照明调光。

      目前,在MOS驱动和低压应用中使用5V电源时,如果采用传统的图腾极结构,由于晶体管BE的电压降约为0.7V,实际加在栅极上的电压仅为4.3V,此时选择标称栅极电压为4.5V的MOS晶体管存在一定的风险,同样的比例也适用。当使用3V或其他低压电源时,会出现问题。


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