【深铭易购】资讯：据报道，2025年第二季度，全球五大NAND Flash原厂——三星、SK海力士、美光、铠侠和西部数据，集体实施10%至15%的减产计划，旨在应对市场供过于求的压力。此举有效支撑了存储芯片价格的止跌回升，促进了市场的稳定发展。

与此同时，中美贸易政策的不确定性加剧，推动企业在政策宽限期内加快交易进程，催生了短期内的备货需求。由此，2025年第二季度存储芯片价格表现出超出预期的反弹态势。

根据TrendForce最新报告，2025年第一季度存储芯片价格整体呈现下滑趋势，但进入第二季度后价格开始回暖，全年呈现“先跌后涨”的波动格局。

具体来看，DRAM合约价格方面，第一季度传统DRAM价格下跌幅度为8%至13%，而高带宽内存（HBM）跌幅较小，仅为0%至5%。预计第二季度，传统DRAM价格将反弹3%至8%，HBM则受益于人工智能（AI）和高性能计算（HPC）应用需求，价格同步上涨3%至8%。

在NAND Flash合约价格方面，第一季度跌幅最大，达到15%至20%。第二季度价格预计将回升3%至8%，显示市场供需关系逐步趋于平衡，行业复苏态势明显。