【深铭易购】资讯：9月14日消息，据台媒《经济日报》援引供应链消息报道称，台积电正持续扩大先进制程产能，明年2nm与3nm的最新扩产目标也随之曝光。

据供应链消息，台积电3nm月产能在2025年底达到约12万至13万片后，今年底预计进一步提升至18万片。尽管随着2nm进入量产，3nm不再是台积电最先进的制程，但受市场需求持续强劲带动，台积电仍计划扩大3nm产能。预计到明年中，3nm月产能将超过21万片，较今年底增加约16%。若从2025年底计算至2027年中，3nm产能累计增幅将接近70%。

2nm方面，供应链预计台积电今年底月产能将达到约9万片，明年中进一步提升至11万片，半年内增加约22%，显示台积电正在加快先进制程量产与扩产进度。

资本支出方面，台积电此前表示，2026年资本支出预计为600亿至640亿美元，其中约70%至80%将投入先进制程。为满足全球客户需求，台积电目前正在新增三座3nm晶圆厂，分别位于中国台湾、美国亚利桑那州和日本。同时，公司也持续在中国台湾将部分5nm设备转换用于3nm生产，以进一步提升相关产能。

除了扩大现有3nm和2nm产能，台积电也在推进2nm以下更先进制程技术，包括A16、A14、A13和A12等。与此同时，台积电与ASML日前宣布展开合作，推动High NA EUV（高数值孔径极紫外光）技术从目前的6英寸光罩向更大的12英寸光罩发展，为未来先进制程进一步缩小线宽提供技术支持。

在High NA EUV技术验证方面，比利时微电子研究中心（IMEC）近日宣布，其与ASML及材料供应商合作，成功通过High NA EUV单次曝光完成22nm间距导线的单次图形化，进一步突破此前28nm间距的验证结果。相关研究还验证了多种接近实际芯片设计的复杂结构，显示成熟的化学放大型光阻（CAR）技术未来有望延伸至A14、A10等埃米世代，并应用于部分关键金属层和通孔层。

随着AI、高性能计算等应用持续推动先进芯片需求，台积电正同步推进2nm、3nm扩产及下一代制程技术研发，先进制程产能与制造技术的竞争预计将进一步加剧。