【深铭易购】资讯：据报道，三星电子计划从16层高带宽存储器（HBM）起，逐步引入混合键合技术。

7月22日，在京畿道城南市由韩国半导体产业协会举办的“商用半导体开发技术研讨会”上，三星电子DS部门半导体研究所下一代研究团队常务董事金大宇表示：“当HBM层数超过16层时，现有的热压键合（TC）技术将难以满足需求，我们正在为16层HBM引入混合键合技术做准备。”

HBM是一种通过垂直堆叠多个DRAM芯片来提升数据处理速度的半导体技术。键合工艺是连接DRAM芯片的关键步骤，而TC键合机则是制造HBM不可或缺的设备。随着HBM层数不断增加，堆叠间距必须进一步缩小，这使得混合键合技术的应用成为必然选择。混合键合通过消除传统的微凸块（焊球），直接实现DRAM芯片与铜的连接，有效减薄HBM厚度。

三星表示，第7代16层HBM产品“HBM4E”将首次同时采用TC键合和混合键合技术，而第8代20层HBM“HBM5”则将全面采用混合键合进行量产。目前市面上最新的HBM产品为第5代“HBM3E”，最大堆叠层数为12层。预计直到第6代16层“HBM4”仍将采用现有技术，从第7代起逐步引入混合键合技术。

金大宇副社长指出：“当堆叠间距缩小至15微米以下时，必须采用不使用焊料的混合键合技术。”他还强调，“混合键合不仅能满足更高密度需求，还具备更优异的散热性能，三星正积极投入相关技术研发。”