【深铭易购】资讯：据台湾媒体报道，中国大陆DRAM制造商长鑫存储（CXMT）正在积极推动其DDR5和LPDDR5内存产品的技术迭代。产业链消息人士透露，长鑫近期送测的新款DDR5样品已顺利通过验证，产品质量已接近台湾南亚科技的同类水平，预计将在2025年底实现大规模量产。

报道称，长鑫存储早在2024年底就已启动DDR5内存的生产工作，不过所采用的是相对落后的第四代DRAM制程工艺节点（特征尺寸约为16nm），相当于三星在2021年所使用的第三代10nm级工艺。这也直接导致长鑫的16GB DDR5芯片在尺寸上比三星同类产品大出约40%，显著拉高了制造成本，削弱了其在国际市场上的竞争力与盈利能力。

除了成本问题，长鑫在DDR5产品研发过程中还遭遇了稳定性方面的技术瓶颈。早期测试显示，该公司DDR5样品在约60°C高温（封装密集环境下常见温度）下表现不稳定，且在低温条件下运行时也出现异常，影响模组整体的可靠性。

为此，长鑫不得不对DDR5芯片设计进行调整，并重新开发光掩模以解决温度相关问题，间接推迟了其量产计划。尽管内部原本预估会在2025年5月至6月间量产，但截至目前（2025年7月），仍未出现大规模量产的迹象。

知情人士指出，长鑫当前DDR5产品的良率仅约为50%，远低于商用DRAM产业的可接受水平。要实现具备市场竞争力的稳定良率，长鑫仍需在技术优化和量产管理方面积累更多经验。这也意味着其正式进入大规模量产的时间恐将进一步延后。

不过值得关注的是，最新基于长鑫新版DDR5芯片的模组在近期测试中表现出色，品质和性能已大幅提升，与南亚科技的同类产品差距大为缩小。一旦这些芯片通过主流PC品牌或模组厂商的认证，长鑫存储将在迈向全球DRAM市场主力供应商的道路上取得关键性进展。

尽管距离真正实现市场化尚有一段路要走，但长鑫存储正在逐步缩小与全球成熟DRAM厂商的差距，展示了中国在半导体存储领域的持续突破与追赶能力。