【深铭易购】资讯：据韩媒报道，长江存储近期低调启动了DRAM研发，计划依托其自主Xtacking专利技术切入高端DRAM市场，涵盖DDR5、LPDDR5及HBM等产品。

与长鑫存储不同，长江存储更侧重自主专利技术的研发。长鑫存储以标准化DRAM制程起步，逐步推进至DDR5量产；而长江存储自2021年起便完成Xtacking架构DRAM制程的美国专利布局，为未来技术发展奠定坚实基础。

业内消息显示，长江存储目前尚未建立正式DRAM产线，但相关研发工作已接近完成，并已开始筹备产线设备。同时，公司在2025年下半年完成首条100%国产化3D NAND试产线，实现从设备到制造工艺的全面国产化。

值得关注的是，2025年初，三星电子与长江存储签署关键专利授权协议。官方仅披露涉及3D NAND核心封装技术的混合键合授权，但业内人士认为，该协议可能也涵盖部分DRAM领域专利，为长江存储进军高端DRAM市场铺平道路。

展望未来，长江存储与长鑫存储在DRAM领域或将形成直接竞争。尽管技术路线各异，两家公司均在政策支持下，加大对国产设备与材料的研发投入。预计超过50%的资源将投向设备与材料领域，以加速解决国内半导体供应链瓶颈问题。