三星投资1.3万亿韩元扩建HBM封装基地

发布者:深铭易购     发布时间:2026-07-24    浏览量:--

【深铭易购】资讯:据韩媒报道,三星电子将投资约1.3万亿韩元(约合8.84亿美元),扩建位于韩国忠清南道牙山市温阳的半导体封装工厂,以提升高带宽存储器(HBM)先进封装产能,并计划于2029年5月正式实现HBM量产。

7月22日,三星电子与韩国忠清南道牙山市签署谅解备忘录(MOU),双方将共同推进项目建设,并在行政审批、基础设施配套等方面展开合作,以加快项目落地并带动当地经济发展。

根据规划,该扩建项目将于2026年10月正式启动,新建约3.1万平方米洁净室,相当于约4个标准足球场面积。项目完成后,温阳工厂总建筑面积将由目前的27万平方米扩大至42万平方米,进一步提升先进封装制造能力。

牙山市预计,该项目建成投产后将直接创造约700个就业岗位。建设期间,平均每天将有约3400名施工人员参与,同时有望带动约2.6万亿韩元的经济效益,为当地产业发展注入新动力。

据了解,三星电子此前已公布HBM扩产计划,拟在温阳工厂和天安工厂累计投资56万亿韩元建设HBM相关设施。其中,温阳工厂将建设5条HBM生产线,天安工厂则将同步扩建并升级HBM相关生产设备,以满足AI服务器市场持续增长的高带宽存储需求。

业内认为,此次扩建意味着温阳工厂将逐步由传统半导体后段封装基地,升级为以HBM先进封装为核心的生产基地,进一步增强三星电子在AI存储器及先进封装领域的竞争力。


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