【深铭易购】资讯：据最新报道，SK海力士正加速扩充其10纳米级第六代1c DRAM产能，以满足高带宽存储器（HBM）市场需求。为集中资源生产高附加值产品，SK海力士已通知主要客户，从2025年第四季度起，将大幅削减通用DRAM供应。不过，受通用DRAM价格持续走高影响，SK海力士正在重新调整战略布局。值得注意的是，1c制程DRAM主要应用于DDR5、LPDDR5X和GDDR7等通用DRAM产品，而非HBM。

根据SK海力士预测，DRAM市场短缺状况将持续至2027年底，而用于传统DRAM的新工厂要到2027年或2028年才能投产，这使公司对向终端客户供应通用DRAM的能力存在一定担忧。

目前，SK海力士1c DRAM的月产能约为2万片晶圆。业界预计，到2026年底，月产能将增至约19万片。主要生产基地包括利川的M14、M16厂，以及清州的M15X厂，其中部分产线将导入1c制程DRAM。SK海力士计划从2026年上半年起，大幅提升1c制程LPDDR5X和GDDR7等产品的量产与出货规模。

据韩媒Deal Site援引韩国证券业界消息，预计到2026年，SK海力士营业利润有望突破70万亿韩元（约合490亿美元）。其中，HBM业务对利润贡献占比可能下降，而通用DRAM的利润占比将显著提升。预计到2026年上半年，HBM与通用DRAM的营业利润率将趋近于70%。

与此同时，三星电子也在调整DRAM产能布局，将重心转向DDR5 RDIMM模组，以充分释放DDR5带来的高利润空间。此轮产能调整预计将释放约8万片DRAM晶圆的产能。三星计划将30%至40%的1a制程产能升级为更先进的1b或1c制程，其中1c制程将成为未来发展的重点。这些新增产能将主要用于生产DDR5、LPDDR5X、LPDDR6及GDDR7等存储产品。

此外，长鑫存储也计划缩减DDR4产能，全力布局DDR5与LPDDR5市场，以抢占下一代高性能存储市场份额。