【深铭易购】资讯：美光科技（Micron）宣布，未来10年内将投入100亿美元，在美国爱达荷州博伊西市总部所在地建设下一代存储器研发中心——“美光研究实验室”（Micron Research Lab）。该项目将成为美国首个专门面向存储器技术研发的研究机构，预计将汇聚数百名科研人员，推动下一代半导体技术突破。

美光表示，此次大规模投资旨在应对人工智能（AI）快速发展带来的数据处理需求增长，以及存储技术面临的性能、功耗和扩展性挑战。随着AI模型规模不断扩大，对高带宽、高容量存储器的需求持续提升，美光希望通过该实验室探索下一代内存技术，并突破半导体产业的发展瓶颈。

据了解，美光研究实验室将重点布局多个关键方向，包括下一代存储器技术、高性能计算架构、先进半导体封装以及未来芯片制造工艺。同时，美光计划以该实验室为核心，建立覆盖整个半导体产业链的合作生态，与客户企业、高校、政府机构以及初创公司展开合作，加速创新成果转化。

美光科技首席执行官桑杰·梅赫罗特拉表示，存储器将在未来人工智能经济中发挥关键作用，美国AI产业的发展需要建立在本土制造的先进存储技术基础之上。

美国商务部长霍华德·卢特尼克也对美光此次投资表示支持。他指出，存储器是美国科技竞争力的重要组成部分，而这一专用存储器研究实验室以及100亿美元研发投入，将进一步提升美国半导体创新能力，并创造大量高质量就业机会。

业内认为，美光此次加码研发，进一步凸显全球存储器市场竞争正在持续升温。目前，三星电子、SK海力士和美光科技仍是全球DRAM市场的主要参与者。

根据市场研究机构Counterpoint Research数据，今年第二季度，三星电子以营收计算占据全球DRAM市场约39%的份额，位居第一；SK海力士和美光分别以26%和25%的市场份额紧随其后。

在人工智能服务器核心组件高带宽内存（HBM）领域，竞争同样激烈。目前，SK海力士仍保持领先优势。数据显示，今年第一季度，SK海力士在HBM市场营收份额达到58%，三星电子和美光的份额均为21%。

不过，随着AI产业需求持续增长，HBM市场格局正在发生变化。三星电子已于今年2月率先实现HBM4量产并开始出货，而SK海力士和美光也正在积极推进HBM4产品研发和供应扩张。随着AI芯片对高性能存储需求不断提升，三大存储巨头之间围绕技术、产能和客户资源的竞争预计将进一步加剧。