英特尔14A制程突破:缺陷密度创22nm以来最佳

发布者:深铭易购     发布时间:2026-08-31    浏览量:--

【深铭易购】资讯:据外媒报道,英特尔首席财务官辛斯纳(David Zinsner)近日透露,公司下一代14A先进制程的开发进展优于预期,目前缺陷密度已经超过原先设定的目标曲线,其改善速度更是创下22nm制程以来的最佳表现。与此同时,外部客户对14A的关注也从过去单纯评估技术指标,逐渐转向询问可获得的产能及生产时程,显示客户对该制程的兴趣正在明显升温。

辛斯纳在德意志银行2026科技大会上表示,14A目前的缺陷密度表现相当出色,下降速度不仅达到预期,更优于英特尔过去多个制程节点的开发表现。他指出,自22nm制程以来,英特尔尚未见过如此明显的缺陷改善速度。

值得注意的是,此次比较主要针对14A在开发阶段的缺陷密度下降轨迹,并不代表14A最终量产缺陷密度或良率已经高于22nm。英特尔22nm制程于2012年开始导入产品,并首次采用鳍式场效晶体管(FinFET)架构,是公司先进制程发展的重要节点。

英特尔CEO陈立武今年7月在财报会议上也曾表示,14A目前的缺陷密度及晶体管性能均优于18A在相同开发阶段的表现,同时客户互动持续增加。按照目前规划,英特尔预计在2027年下半年让14A进入内部产品风险试产,并于2028年正式量产。

从技术来看,14A将在18A基础上进一步升级,采用第二代RibbonFET环绕栅极(GAA)晶体管以及新一代PowerDirect背面供电技术,并规划导入High-NA EUV光刻技术。根据英特尔公布的技术蓝图,14A预计可在相同功耗下实现约15%至20%的性能提升;在维持相同性能的情况下,功耗则有望降低25%至35%,芯片密度最高提升约30%。

除了制程性能持续改善,客户对14A的态度也出现变化。辛斯纳透露,英特尔内部芯片设计团队已经开始利用14A进行产品开发,而陈立武及其团队目前每周都会与外部晶圆代工客户展开沟通。

与过去客户主要关注制程技术参数不同,如今外部客户开始进一步询问14A未来能够提供多少产能,以及具体的生产安排和交付时间。这一变化意味着,客户对14A的兴趣已经从技术评估逐渐进入实际产能规划阶段,也让英特尔对未来争取外部晶圆代工订单的信心有所增强。

为了确保14A能够按照计划在2028年实现量产,英特尔也正在提前推进相关设备投资。辛斯纳表示,半导体制造设备从采购、运输到进厂安装和调试需要较长时间,因此如果希望14A在2028年顺利扩大产能,部分资本支出必须提前启动。

随着14A开发进度持续改善,以及外部客户关注重点从技术指标转向产能与量产时程,英特尔正在加速推进先进制程布局。未来,随着14A逐步进入量产阶段,英特尔与台积电在下一代先进制程市场的竞争预计也将进一步加剧。


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