【深铭易购】资讯：据报道，日本存储芯片制造商铠侠（Kioxia）计划在日本北部建设一座新的半导体生产设施，项目投资规模预计超过1万亿日元（约合62.7亿美元）。该工厂未来将主要用于大规模生产面向长期数据存储需求的NAND闪存芯片。

铠侠高层预计将于本周四前往日本首相官邸，正式宣布这一新工厂建设计划。铠侠总裁太田博夫此前在6月举行的投资者说明会上表示，公司已经启动了新设施的相关讨论，并计划在2029年或更晚时间实现量产。

目前，铠侠主要在日本三重县和岩手县的工厂生产存储芯片。其中，计划中的新设施将成为其在岩手县建设的第三座工厂。为推进项目建设，铠侠已经开始与包括半导体设备制造商在内的供应链企业进行沟通，并讨论设备采购等相关事宜。同时，该公司预计还将获得日本经济产业省提供的相关补贴支持。

从全球市场份额来看，铠侠是全球第三大NAND闪存制造商，仅次于韩国三星电子和SK海力士。随着三星和SK海力士近年来持续加码日本半导体产业布局，市场也开始关注铠侠未来的投资计划。

业内认为，随着人工智能、大数据和云计算应用快速增长，全球对高容量存储芯片的需求持续提升。铠侠此次扩大NAND闪存产能，将进一步强化其在存储市场中的竞争力，并推动日本本土半导体供应链的发展。